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      首頁 >  汽摩及配件 >  常州名優(yōu)集成電路市價「大嘉科技有限公司供應」

      集成電路基本參數
      • 品牌
      • 大嘉
      • 型號
      • 齊全
      集成電路企業(yè)商機

      球形觸點陣列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA*為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題(見有圖所示)。同上。日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。常州名優(yōu)集成電路市價

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      38、PLCC(plastic leaded chip carrier)帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形,是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用,90年代已經普及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm,引腳數從18到84。J形引腳不易變形,比QFP容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區(qū)別*在于前者用塑料,后者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P-LCC等),已經無法分辨。為此,日本電子機械工業(yè)會于1988年決定,把從四側引出J形引腳的封裝稱為QFJ,把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ和QFN)。江陰節(jié)能集成電路工廠直銷焊接時間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應用內熱式25W左右。

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      65、SOP(small Out-Line package)小外形封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存儲器LSI外,也***用于規(guī)模不太大的ASSP等電路。在輸入輸出端子不超過10~40的領域,SOP是普及**廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數從8~44。另外,引腳中心距小于1.27mm的SOP也稱為SSOP;裝配高度不到1.27mm的SOP也稱為TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。66、SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。

      因而得此稱呼。引腳數從14到90。也有稱為SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH-DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半導體廠家采用的名稱。54、SIL(single in-line)SIP的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL這個名稱。55、SIMM(single in-line memory module)單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經在個人計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30~40%的DRAM都裝配在SIMM里。集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型和雙列直插型。

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      2、BQFP(quad flat package with bumper)帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數從84到196左右(見QFP)。3、C-(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECL RAM,DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從8到42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。無錫好的集成電路產品介紹

      表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。常州名優(yōu)集成電路市價

      這就是初期集成電路的構想,晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能,1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管,而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能,并且克服了電子管的上述缺點,因此在晶體管發(fā)明后,很快就出現了基于半導體的集成電路的構想,也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比(Jack Kilby)和羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。常州名優(yōu)集成電路市價

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