使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層。然后使用微影、擴(kuò)散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件,然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線,如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量,導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成,每層由圖像技術(shù)定義,通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層(成為擴(kuò)散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導(dǎo)體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導(dǎo)層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。常州名優(yōu)集成電路現(xiàn)貨

美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝?;迮c封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。31、MSP(mini square package)QFI的別稱(見QFI),在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)濱湖區(qū)節(jié)能集成電路市價因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。

11、DSO(dual small out-lint)雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。12、DICP(dual tape carrier package)集成電路雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術(shù),封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI,但多數(shù)為定制品。另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機(jī)械工業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,將DICP命名為DTP。
26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率?,F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。 MCM-C是用厚膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。2025年將持續(xù)推進(jìn)集成電路領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制。

7、測試儀表內(nèi)阻要大測量集成電路引腳直流電壓時,應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表,否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應(yīng)散熱良好,不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分,應(yīng)選用小型元器件,且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合,尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如:肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標(biāo)準(zhǔn)T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA(ball grid array)膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。濱湖區(qū)好的集成電路銷售方法
表示帶散熱器的標(biāo)記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。常州名優(yōu)集成電路現(xiàn)貨
集成電路或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、芯片(chip)在電子學(xué)中是一種把電路(主要包括半導(dǎo)體裝置,也包括被動元件等)小型化的方式,并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)混成集成電路(hybrid integrated circuit)是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動元件,集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片(monolithic)集成電路,即薄膜集成電路。常州名優(yōu)集成電路現(xiàn)貨
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21、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗...
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