無錫節(jié)能集成電路服務(wù)熱線

美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。31、MSP（mini square package）QFI的別稱（見QFI），在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國Motorola公司對(duì)模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。無錫節(jié)能集成電路服務(wù)熱線

21、JLCC（J-leaded chip carrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。22、LCC（Leadless chip carrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）。23、LGA（land grid array）觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)（1.27mm中心距）和447觸點(diǎn)（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。徐州節(jié)能集成電路現(xiàn)貨膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。

16、FQFP（fine pitch quad flat package）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。17、CPAC（globe top pad array carrier）美國Motorola公司對(duì)BGA的別稱（見BGA）。18、CQFP（quad fiat package with guard ring）帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)**多為208左右。

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱為SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH－DIP（shrink dual in-line package）同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。54、SIL（single in-line）SIP的別稱（見SIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個(gè)名稱。55、SIMM（single in-line memory module）單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經(jīng)在個(gè)人計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的DRAM都裝配在SIMM里。雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。

模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào)（指幅度隨時(shí)間變化的信號(hào)。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁帶信號(hào)等），其輸入信號(hào)和輸出信號(hào)成比例關(guān)系。而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào)（指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào)。例如5G手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號(hào)和視頻信號(hào)）。制作工藝集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路?；萆絽^(qū)標(biāo)準(zhǔn)集成電路現(xiàn)貨

J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。無錫節(jié)能集成電路服務(wù)熱線

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴(kuò)散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層（成為擴(kuò)散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。無錫節(jié)能集成電路服務(wù)熱線

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