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MOS管和晶體三極管相比的重要特性

1)場效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們作用相似。

2)場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是當(dāng)柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少。

3)場效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流;而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4)場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電:三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

5)場效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大，而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時，其特性差異很大，b值將減小很多。

6)場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管

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諧振轉(zhuǎn)換器及其他應(yīng)用

在開關(guān)電源中，其他重要的MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。某些特定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如諧振轉(zhuǎn)換器，會改變這些參數(shù)的相關(guān)性。諧振轉(zhuǎn)換器通過在VDS或ID過零時進(jìn)行MOS管開關(guān)，從而明顯降低開關(guān)損耗。這類技術(shù)被稱為 軟開關(guān)或零電壓/零電流開關(guān)技術(shù)。在這些拓?fù)渲?，由于開關(guān)損耗被小化，因此RDS(ON)變得尤為重要。

此外，低 輸出電容（COSS）對這兩種類型的轉(zhuǎn)換器都有益處。在諧振轉(zhuǎn)換器中，諧振電路的性能主要由變壓器的漏電感和COSS決定。同時，在兩個MOS管關(guān)斷的死區(qū)時間內(nèi)，諧振電路需要確保COSS完全放電。而對于傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器（硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器），低輸出電容同樣重要，因為它能夠減少每個硬開關(guān)周期中的能量損失。 廣東送樣MOSFET供應(yīng)商產(chǎn)品選型能承受高電壓、大電流，適應(yīng)嚴(yán)苛工作環(huán)境。

一、什么是MOS管？

MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，英文名metaloxidesemiconductor，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。

二、MOS管的構(gòu)造。

MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏極D和源極S，無論是N型還是P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區(qū)，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N/P溝道（NPN型）增強型MOS管。

三、MOS管的特性。

MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡單、輻射強，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，柵極G正電壓時導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作,同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開始工作。上文部分內(nèi)容采用網(wǎng)絡(luò)整理，如有侵權(quán)行為，請及時聯(lián)系管理員刪除；

MOS管在電源設(shè)計中的應(yīng)用與關(guān)鍵參數(shù)解析

MOS管在電源設(shè)計中的應(yīng)用

?開關(guān)元件和電源輸出影響

MOS管在電源設(shè)計中的應(yīng)用很多，其中之一便是作為 開關(guān)元件使用。除此之外，它們還對 電源輸出產(chǎn)生重要影響。在服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用中，通常會配備多個并行電源，以實現(xiàn) N+1冗余和持續(xù)工作能力。這些并行電源通過平均分擔(dān)負(fù)載，確保系統(tǒng)在單個電源故障時仍能保持運行。然而，這種架構(gòu)需要一種方法將并行電源的輸出連接起來，同時確保故障電源不會影響其他電源。在每個電源的輸出端，通過使用功率MOS管，可以使多個電源共同分擔(dān)負(fù)載，同時保持彼此的隔離。

? 低RDS（ON）的重要性

在服務(wù)器正常運行期間，MOS管的作用更類似于一個導(dǎo)體，因此設(shè)計人員關(guān)心的是其傳導(dǎo)損耗的小化。低 RDS（ON）對于降低BOM成本和PCB尺寸至關(guān)重要。RDS（ON）是MOS管制造商用于定義導(dǎo)通阻抗的參數(shù)，對于ORing FET應(yīng)用而言，它是關(guān)鍵的性能指標(biāo)。數(shù)據(jù)手冊指出，RDS（ON）與柵極電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但在充分的柵極驅(qū)動下，它是一個相對穩(wěn)定的參數(shù)。 選擇低RDS（ON）的MOS管有助于減少電源設(shè)計的面積和成本，同時，通過并聯(lián)可有效降低整體阻抗。 TrenchMOSFET 、N/P通道MOSFET/SGT MOSFET/ SJ MOSFET量產(chǎn)成熟.

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司是一家以市場為導(dǎo)向、技術(shù)為驅(qū)動、采用fabless模式的功率半導(dǎo)體設(shè)計公司，專注于TrenchMOSFET、分離柵MOSFET、超級結(jié)MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計以及銷售；團(tuán)隊均擁有18年以上功率芯片從業(yè)經(jīng)驗，具有豐富的12寸產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗；

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、馬達(dá)驅(qū)動、BMS、UPS、光伏新能源、充電樁等領(lǐng)域。

在面對日益增長的電力需求和對電子設(shè)備可靠性的苛刻要求時，如何制造出高效、穩(wěn)定的半導(dǎo)體器件成了一個亙古不變的話題。

無錫商甲恰恰是為了解決這一嶄新的挑戰(zhàn)而誕生的。特別是在消費電子和清潔能源等領(lǐng)域，對這類功率器件的需求正以每年20%至30%的速度增長，這意味著該技術(shù)的潛力巨大。 產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)優(yōu)勢，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；廣東送樣MOSFET供應(yīng)商產(chǎn)品選型

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比其他開關(guān)器件，MOS管的優(yōu)勢藏在細(xì)節(jié)里

IGBT結(jié)合了MOS管的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通損耗，常用于高壓大電流場景（比如電動汽車的主電機驅(qū)動）。但I(xiàn)GBT的開關(guān)速度比MOS管慢（納秒級到微秒級），且開關(guān)過程中存在"拖尾電流"（關(guān)斷時電流不能立即降為零），這在需要超高頻開關(guān)的場景（比如開關(guān)電源的高頻化）中會成為瓶頸。而MOS管的開關(guān)速度更快，更適合對效率敏感的小型化設(shè)備。

晶閘管（SCR）則是另一種類型的開關(guān)器件，它的優(yōu)點是耐壓高、電流大，但缺點是"一旦導(dǎo)通就無法自行關(guān)斷"（必須依靠外部電路降低電流才能關(guān)斷），這種"不可控性"在需要頻繁開關(guān)的場景中幾乎無法使用。相比之下，MOS管是"全控型器件"——柵極電壓不僅能控制導(dǎo)通，還能控制關(guān)斷，這種"說開就開，說關(guān)就關(guān)"的特性，讓它能勝任更復(fù)雜的控制邏輯。

開關(guān)電源需要高頻化（提升效率、減小體積）、高功率密度（小體積大功率）；電機驅(qū)動需要快速響應(yīng)（應(yīng)對負(fù)載突變）、低損耗（延長續(xù)航）。MOS管的低導(dǎo)通電阻、快開關(guān)速度、高輸入阻抗，恰好能同時滿足這兩類場景的主要需求。這也是為什么我們打開手機充電器、筆記本電腦電源，或是拆開電動車的電機控制器，都能看到成片的MOS管。 上海選型MOSFET供應(yīng)商供應(yīng)商

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月3日，注冊地位于無錫經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)太湖灣信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)園1號樓908室。公司專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)設(shè)計與銷售，采用Fabless模式開發(fā)TrenchMOSFET、IGBT等產(chǎn)品，截至2023年12月，公司已設(shè)立深圳分公司拓展華南市場，并獲評2024年度科技型中小企業(yè)。無錫商甲半導(dǎo)體有限公司利用技術(shù)優(yōu)勢，以國內(nèi)***技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為***代產(chǎn)品；產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)***優(yōu)勢，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車規(guī)級MOSFET，為日益增長的汽車需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封裝；未來兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線并拓展至寬禁帶領(lǐng)域；