江蘇20V至100V N+P MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較

MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)及其正溫度特性

正溫度系數(shù)

源/漏金屬與N+半導(dǎo)體區(qū)域之間的非理想接觸，以及用于將器件連接到封裝的引線，都可能產(chǎn)生額外的電阻。RDS(ON)具有正溫度系數(shù)，隨著溫度的升高而增加。這是因為空穴和電子的遷移率隨著溫度的升高而降低。P/N溝道功率MOSFET在給定溫度下的RDS(ON)，可通過公式估算。

這是MOSFET并聯(lián)穩(wěn)定性重要特征。當(dāng)MOSFET并聯(lián)時RDS(ON)隨溫度升高，不需要任何外部電路的幫助即可獲得良好的電流分流。

正溫度系數(shù)的注意事項

盡管RDSON的正溫度系數(shù)使得并聯(lián)容易，在實(shí)際使用中還需要注意到以下問題：柵源閾值電壓VTH及CGD、CGS如有不同會影響到動態(tài)均流。應(yīng)盡可能使電路布局保持對稱。同時防止寄生振蕩，如在每個柵極上分別串聯(lián)電阻。RDSON的正溫度特性也說明了導(dǎo)通損耗會在高溫時變得更大。故在損耗計算時應(yīng)特別留意參數(shù)的選擇。 醫(yī)療設(shè)備專屬使用 MOSFET 可靠性與穩(wěn)定性突出，能滿足醫(yī)療電子設(shè)備的嚴(yán)苛運(yùn)行要求。江蘇20V至100V N+P MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較

半導(dǎo)體是什么？

半導(dǎo)體（semiconductor）指室溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。 半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能可通過摻雜來改變，摻雜進(jìn)入本質(zhì)半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度與極性皆會對半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性產(chǎn)生很大影響。摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，屬空穴型導(dǎo)電。

常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等。半導(dǎo)體按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。根據(jù)參入雜質(zhì)可分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體的性質(zhì)包括光學(xué)性質(zhì)和運(yùn)輸性質(zhì)等。 半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。

半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。

物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。人們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體。 半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。其是指一種導(dǎo)電性可控，范圍從絕緣體到導(dǎo)體之間的材料。 江蘇20V至100V N+P MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較TrenchMOSFET 、N/P通道MOSFET/SGT MOSFET/ SJ MOSFET量產(chǎn)成熟.

商甲半導(dǎo)體產(chǎn)品：SJMOS（超結(jié)MOSFET）

商甲半導(dǎo)體提供擊穿電壓等級范圍為500V至900V的SJ系列功率MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品以低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷，出色的開關(guān)速度，以及更好的EMI表現(xiàn)，成為開關(guān)電源的理想選擇；針對不同的電路要求，公司開發(fā)出多個系列產(chǎn)品，在產(chǎn)品抗沖擊、EMI特性、開關(guān)特性、反向恢復(fù)特性、性價比等多個因素中相互平衡，致力于為客戶提供比較好的選型方案。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在家用電器、通信電源、UPS、光伏逆變、電動汽車充電等領(lǐng)域。歡迎咨詢。

如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進(jìn)行選型二

工作電流選型重要考量

1.計算負(fù)載電流：

根據(jù)負(fù)載功率（P）和工作電壓（U），通過公式I=P/U計算負(fù)載穩(wěn)態(tài)工作電流。例如，100W負(fù)載在24V下工作，電流約為4.17A。同時需評估啟動電流、峰值電流等極端工況。

2.選定額定電流與散熱設(shè)計：

MOSFET的連續(xù)漏極電流額定值（ID）需大于電路最大負(fù)載電流，并依據(jù)散熱條件進(jìn)行降額設(shè)計。自然冷卻時，降額系數(shù)通常取0.5-0.6；強(qiáng)制風(fēng)冷或加裝散熱器時，可提升至0.7-0.8。舉例：最大負(fù)載電流5A，自然冷卻下應(yīng)選ID≥10A（5A÷0.5）的器件。

MOSFET的連續(xù)漏極電流額定值（ID）需大于電路最大負(fù)載電流，并依據(jù)散熱條件進(jìn)行降額設(shè)計。自然冷卻時，降額系數(shù)通常取0.5-0.6；強(qiáng)制風(fēng)冷或加裝散熱器時，可提升至0.7-0.8。舉例：最大負(fù)載電流5A，自然冷卻下應(yīng)選ID≥10A（5A÷0.5）的器件。

3.關(guān)注電流變化速率：

高頻開關(guān)電路中，需注意電流變化率（di/dt）。過高的di/dt可能引發(fā)電磁干擾（EMI），應(yīng)選用能承受相應(yīng)電流變化速率的MOSFET，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。 無錫商甲半導(dǎo)體作為專業(yè) MOSFET 供應(yīng)商，提供 Trench MOSFET，優(yōu)化結(jié)構(gòu)工藝，導(dǎo)通電阻與開關(guān)特性表現(xiàn)良好。

開關(guān)電源中的MOS管需求

我們考慮 開關(guān)電源應(yīng)用中的MOS管需求。在這種應(yīng)用中，MOS管需要定期導(dǎo)通和關(guān)斷，以執(zhí)行開關(guān)功能。開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)多種多樣，但基本降壓轉(zhuǎn)換器是一個典型的例子。它依賴兩個交替工作的MOS管來在電感中存儲和釋放能量，從而為負(fù)載提供穩(wěn)定的電源。 開關(guān)電源應(yīng)用中，MOS管需頻繁導(dǎo)通和關(guān)斷，關(guān)鍵參數(shù)包括柵極電荷與導(dǎo)通阻抗等，需根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選擇比較好。

柵極電荷與開關(guān)損耗

傳統(tǒng)上，電源設(shè)計人員可能采用綜合品質(zhì)因數(shù)（柵極電荷QG與導(dǎo)通阻抗RDS(ON)的乘積）來評估MOS管。但值得注意的是，還有許多其他參數(shù)同樣重要。柵極電荷是產(chǎn)生 開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。它表示MOS管柵極充電和放電所需的能量，以納庫侖（nc）為單位。值得注意的是，柵極電荷與導(dǎo)通阻抗RDS(ON)在半導(dǎo)體設(shè)計和制造中是相互關(guān)聯(lián)的。通常，較低的柵極電荷值會伴隨著稍高的導(dǎo)通阻抗參數(shù)。 想要體驗高性能 MOSFET？商甲半導(dǎo)體送樣不收費(fèi)。江蘇20V至100V N+P MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較

分離柵 MOSFET 是商甲半導(dǎo)體關(guān)鍵產(chǎn)品之一，開關(guān)速度快且損耗低，能滿足高頻電源設(shè)備運(yùn)行需求。江蘇20V至100V N+P MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較

MOS管在電源設(shè)計中的應(yīng)用與關(guān)鍵參數(shù)解析

MOS管在電源設(shè)計中的應(yīng)用

?開關(guān)元件和電源輸出影響

MOS管在電源設(shè)計中的應(yīng)用很多，其中之一便是作為 開關(guān)元件使用。除此之外，它們還對 電源輸出產(chǎn)生重要影響。在服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用中，通常會配備多個并行電源，以實(shí)現(xiàn) N+1冗余和持續(xù)工作能力。這些并行電源通過平均分擔(dān)負(fù)載，確保系統(tǒng)在單個電源故障時仍能保持運(yùn)行。然而，這種架構(gòu)需要一種方法將并行電源的輸出連接起來，同時確保故障電源不會影響其他電源。在每個電源的輸出端，通過使用功率MOS管，可以使多個電源共同分擔(dān)負(fù)載，同時保持彼此的隔離。

? 低RDS（ON）的重要性

在服務(wù)器正常運(yùn)行期間，MOS管的作用更類似于一個導(dǎo)體，因此設(shè)計人員關(guān)心的是其傳導(dǎo)損耗的小化。低 RDS（ON）對于降低BOM成本和PCB尺寸至關(guān)重要。RDS（ON）是MOS管制造商用于定義導(dǎo)通阻抗的參數(shù)，對于ORing FET應(yīng)用而言，它是關(guān)鍵的性能指標(biāo)。數(shù)據(jù)手冊指出，RDS（ON）與柵極電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但在充分的柵極驅(qū)動下，它是一個相對穩(wěn)定的參數(shù)。 選擇低RDS（ON）的MOS管有助于減少電源設(shè)計的面積和成本，同時，通過并聯(lián)可有效降低整體阻抗。 江蘇20V至100V N+P MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月3日，注冊地位于無錫經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)太湖灣信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)園1號樓908室。公司專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)設(shè)計與銷售，采用Fabless模式開發(fā)TrenchMOSFET、IGBT等產(chǎn)品，截至2023年12月，公司已設(shè)立深圳分公司拓展華南市場，并獲評2024年度科技型中小企業(yè)。無錫商甲半導(dǎo)體有限公司利用技術(shù)優(yōu)勢，以國內(nèi)***技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為***代產(chǎn)品；產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)***優(yōu)勢，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車規(guī)級MOSFET，為日益增長的汽車需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封裝；未來兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線并拓展至寬禁帶領(lǐng)域；