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      企業(yè)商機
      DDR3測試基本參數(shù)
      • 品牌
      • 克勞德
      • 型號
      • DDR3測試
      DDR3測試企業(yè)商機

      那么在下面的仿真分析過程中,我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標準來進行系統(tǒng)設(shè)計呢?答案是否定的,因為雖然這個時序是規(guī)范中定義的標準,但是在系統(tǒng)實現(xiàn)中,我們所使用的是Micron的產(chǎn)品,而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計要求,但是具體實現(xiàn)的參數(shù)指標要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊為準。換句話說,DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標準,而我們設(shè)計系統(tǒng)時,既然使用了Micron的產(chǎn)品,那么系統(tǒng)的性能指標分析就要以Micron的產(chǎn)品為準。所以,接下來的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片手冊和作為控制器的FPGA數(shù)據(jù)手冊中,找到類似的DDR規(guī)范的設(shè)計要求和具體的設(shè)計參數(shù)。DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試?解決方案DDR3測試系列

      解決方案DDR3測試系列,DDR3測試

      · 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊,ApplicationNote:在這個文檔中,廠家一般會提出一些設(shè)計建議,甚至參考設(shè)計,有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中,要注意這些信息是否齊備。

      · 參考設(shè)計,ReferenceDesign:對于比較復雜的器件,廠商一般會提供一些參考設(shè)計,以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖,用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。

      · IBIS 文件:這個對高速設(shè)計而言是必需的,獲得的方法前面已經(jīng)講過。 黑龍江DDR3測試執(zhí)行標準DDR3一致性測試是否會導致操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序崩潰?

      解決方案DDR3測試系列,DDR3測試

      常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號質(zhì)量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,通過一個實際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。

      在本案例中客戶反映實測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后,可以正常工作。

      DDR 規(guī)范的時序要求

      在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后,下一步,我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設(shè)計的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

      在規(guī)范文件中,有很多時序圖,筆者大致計算了一下,有 40 個左右。作為高速電路設(shè)計的工程師,我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗證,那么哪些時序圖才是我們關(guān)注的重點?事實上,在所有的這些時序圖中,作為 SI 工程師,我們需要關(guān)注的只有兩個,那就是規(guī)范文件的第 69 頁,關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖(注意,這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器,也即 FPGA 的角度來講的)。為方便讀者閱讀,筆者把這兩個時序圖拼在了一起,而其他的時序圖的實現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎(chǔ)的。在板級系統(tǒng)設(shè)計中,只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量,其他的時序關(guān)系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴展,應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計人員所需要考慮的事情。 是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題?

      解決方案DDR3測試系列,DDR3測試

      DDRhDDRl釆用SSTL_2接口,1/0 口工作電壓為2.5V;時鐘信號頻率為100?200MHz; 數(shù)據(jù)信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣;地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣;信號走線都使用樹形拓撲,沒有ODT功能。

      DDR2: DDR2釆用SSTL_18接口,I/O 口工作電壓為1.8V;時鐘信號頻率為200? 400MHz;數(shù)據(jù)信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號,但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性;地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個間隔時鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半;信號走線也都使用樹形拓撲,數(shù)據(jù)和選通信號有ODT功能。 DDR3一致性測試是否適用于非服務(wù)器計算機?HDMI測試DDR3測試USB測試

      DDR3一致性測試可以幫助識別哪些問題?解決方案DDR3測試系列

      多數(shù)電子產(chǎn)品,從智能手機、PC到服務(wù)器,都用著某種形式的RAM存儲設(shè)備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結(jié)合,SDRAM作為大多數(shù)基于計算機產(chǎn)品 的主流存儲器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計中。

      DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口,其規(guī)范于2000年由JEDEC (電子工程設(shè)計發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會)發(fā)布。隨著時鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來的性能提升,電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標,或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大。存 儲器子系統(tǒng)的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 解決方案DDR3測試系列

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