測(cè)量DDR3測(cè)試安裝

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào)；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào)；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào)，以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個(gè)Rank, 所以本例將把地址命令信號(hào)和控制信號(hào)合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個(gè)Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號(hào)，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對(duì)應(yīng)Strobe信號(hào)），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于工作站和游戲電腦？測(cè)量DDR3測(cè)試安裝

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。

在提取出來(lái)的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵(lì)為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時(shí)鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設(shè)計(jì)沒有接終端的電阻端接。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看，可以看到， 時(shí)鐘信號(hào)完全不能工作。 DDR3測(cè)試系列DDR3一致性測(cè)試可以幫助識(shí)別哪些問題？

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號(hào)，只能從控制器傳向存儲(chǔ)芯片，而數(shù)據(jù)信號(hào)則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號(hào)線除了用來(lái)尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號(hào)統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表?？梢钥吹?，DDR 控制器對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號(hào)的狀態(tài)和地址信號(hào)的組合來(lái)完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?

DDR1/2控制命令等信號(hào)，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí)，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 F拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí)，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時(shí)，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用不是特別明顯，因此在2片負(fù)載時(shí)很多 設(shè)計(jì)人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊？

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號(hào)間的時(shí)序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號(hào)Strobe和時(shí)鐘信號(hào)Clock之間的時(shí)序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時(shí) 鐘信號(hào)。 一致性測(cè)試是否適用于服務(wù)器上的DDR3內(nèi)存模塊？機(jī)械DDR3測(cè)試高速信號(hào)傳輸

什么是DDR3內(nèi)存的一致性問題？測(cè)量DDR3測(cè)試安裝

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號(hào)耦合，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號(hào)的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長(zhǎng)，但模型細(xì)節(jié)完整，適合終的仿真驗(yàn)證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。測(cè)量DDR3測(cè)試安裝