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DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數(shù)據(jù)信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表?？梢钥吹剑珼DR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 DDR3一致性測試是否對不同廠商的內(nèi)存模塊有效？廣東DDR3測試銷售電話

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0K按鈕確認。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點選負端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號間的時序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號Strobe和時鐘信號Clock之間的時序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對應(yīng)的時鐘信號。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時 鐘信號。 天津通信DDR3測試如何執(zhí)行DDR3的一致性測試？

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設(shè)置。

"DDRx"是一個通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長的計算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)存。DDR4：DDR4是第四代DDR技術(shù)，具有更高的頻率和帶寬，較低的電壓和更高的密度。DDR4內(nèi)存模塊相對于之前的DDR3模塊來說，能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)都會有自己的規(guī)范和時序要求，以確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術(shù)在計算機系統(tǒng)、服務(wù)器、嵌入式設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，能夠提供快速和高效的數(shù)據(jù)訪問和處理能力。是否可以通過調(diào)整時序設(shè)置來解決一致性問題？

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò)，為這些信號網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個或者多個網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data,

設(shè)置完成后，岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。

單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置：勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個選項；設(shè)置走線耦合百分比為1%，上升時間為lOOps；選 擇對網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup)；設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。 DDR3一致性測試的目標(biāo)是什么？解決方案DDR3測試測試流程

DDR3一致性測試是否會提前壽命內(nèi)存模塊？廣東DDR3測試銷售電話

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設(shè)計建議，甚至參考設(shè)計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設(shè)計，ReferenceDesign：對于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會提供一些參考設(shè)計，以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。

· IBIS 文件：這個對高速設(shè)計而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 廣東DDR3測試銷售電話