涂敷在透明光學(xué)元件表面、用來消除或減弱反射光以達(dá)增透目的的光學(xué)薄膜。又稱增透膜。簡單的減反射膜是單層介質(zhì)膜，其折射率一般介于空氣折射率和光學(xué)元件折射率之間，使用普遍的介質(zhì)膜材料為氟化鎂。減反射膜的工作原理是基于薄膜干涉原理。入射光在介質(zhì)膜兩表面反射后得兩束相干光，選擇折射率適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)膜材料，可使兩束相干光的振幅接近相等，再控制薄膜厚度，使兩相干光的光程差滿足干涉極小條件，此時(shí)反射光能量將完全消除或減弱。反射能量的大小是由光波在介質(zhì)膜表面的邊界條件確定，適當(dāng)條件下可完全沒有反射光或只有很弱的反射光。
真空鍍膜過程中需嚴(yán)格控制鍍膜時(shí)間。茂名光學(xué)真空鍍膜
加熱：通過外部加熱源（如電阻絲、電磁感應(yīng)等）對反應(yīng)器進(jìn)行加熱，將反應(yīng)器內(nèi)的溫度升高到所需的工作溫度，一般在3001200攝氏度之間。加熱的目的是促進(jìn)氣相前驅(qū)體與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成固相薄膜。送氣：通過氣路系統(tǒng)向反應(yīng)器內(nèi)送入氣相前驅(qū)體和稀釋氣體，如SiH4、NH3、N2、O2等。送氣的流量、比例和時(shí)間需要根據(jù)不同的沉積材料和厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)。送氣的目的是提供沉積所需的原料和控制沉積反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)。沉積：在給定的壓力、溫度和氣體條件下，氣相前驅(qū)體與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成固相薄膜，并釋放出副產(chǎn)物。沉積過程中需要監(jiān)測和控制反應(yīng)器內(nèi)的壓力、溫度和氣體組成，以保證沉積質(zhì)量和性能。卸載：在沉積完成后，停止送氣并降低溫度，將反應(yīng)器內(nèi)的壓力恢復(fù)到大氣壓，并將沉積好的襯底從反應(yīng)器中取出。卸載時(shí)需要注意避免溫度沖擊和污染物接觸，以防止薄膜損傷或變質(zhì)。商丘真空鍍膜廠真空鍍膜能有效提升表面硬度。
LPCVD設(shè)備可以沉積多種類型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。設(shè)備通常由以下幾個(gè)部分組成：真空系統(tǒng)、氣體輸送系統(tǒng)、反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、流量控制系統(tǒng)等。LPCVD設(shè)備的缺點(diǎn)主要有以下幾點(diǎn)：（1）由于高溫條件下襯底材料會發(fā)生熱膨脹和熱應(yīng)力，使得襯底材料可能出現(xiàn)變形、開裂、彎曲等問題；（2）由于高溫條件下襯底材料會發(fā)生熱擴(kuò)散和熱反應(yīng)，使得襯底材料可能出現(xiàn)雜質(zhì)摻雜、界面反應(yīng)、相變等問題；（3）由于高溫條件下氣體前驅(qū)體會發(fā)生熱分解和熱聚合，使得氣體前驅(qū)體可能出現(xiàn)不穩(wěn)定性、副反應(yīng)、沉積速率降低等問題；（4）LPCVD設(shè)備需要較大的真空泵和加熱功率，使得設(shè)備成本和運(yùn)行成本較高
衡量沉積質(zhì)量的主要指標(biāo)有以下幾項(xiàng)：指標(biāo)就是均勻度。顧名思義，該指標(biāo)就是衡量沉積薄膜厚度均勻與否的參數(shù)。薄膜沉積和刻蝕工藝一樣，需將整張晶圓放入沉積設(shè)備中。因此，晶圓表面不同角落的沉積涂層有可能厚度不一。高均勻度表明晶圓各區(qū)域形成的薄膜厚度非常均勻。第二個(gè)指標(biāo)為臺階覆蓋率（StepCoverage）。如果晶圓表面有斷層或凹凸不平的地方，就不可能形成厚度均勻的薄膜。臺階覆蓋率是考量膜層跨臺階時(shí)，在臺階處厚度損失的一個(gè)指標(biāo)，即跨臺階處的膜層厚度與平坦處膜層厚度的比值。LPCVD主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。
LPCVD的制程主要包括以下幾個(gè)步驟：預(yù)處理：在LPCVD之前，需要對襯底進(jìn)行清潔和預(yù)熱，以去除表面的雜質(zhì)和水分，防止薄膜沉積過程中產(chǎn)生缺陷或不均勻。預(yù)處理的方法有濕法清潔、干法清潔、氫退火等。裝載：將經(jīng)過預(yù)處理的襯底放入LPCVD反應(yīng)器中，一般采用批量裝載的方式，可以同時(shí)處理多片襯底，提高生產(chǎn)效率。裝載時(shí)需要注意襯底之間的間距和排列方式，以保證沉積均勻性。抽真空：在LPCVD反應(yīng)器中抽真空，將反應(yīng)器內(nèi)的壓力降低到所需的工作壓力，一般在0.1-10托爾之間。抽真空的目的是減少氣體分子之間的碰撞，增加氣體分子與襯底表面的碰撞概率，從而提高沉積速率和均勻性。真空鍍膜設(shè)備需精確控制溫度和壓力。金屬真空鍍膜加工廠
真空鍍膜技術(shù)為產(chǎn)品提供可靠保護(hù)。茂名光學(xué)真空鍍膜
在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)(或?yàn)R射)，使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體)上的方法稱為真空鍍膜法。真空蒸鍍簡稱蒸鍍，是在真空條件下，用一定的方法加熱鍛膜材料(簡稱膜料)使之氣化，并沉積在工件表面形成固態(tài)薄膜。以動(dòng)量傳遞的方法，用荷能粒子轟擊材料表面，使其表面原子獲得足夠的能量而飛逸出來的過程稱為濺射。離子鍍膜技術(shù)簡稱離子鍍，離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在基片上。電阻加熱蒸鍍是用絲狀或片狀的鎢、鉬、鉭高熔點(diǎn)金屬做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，將膜料放在其中，接通電源，電阻直接加熱膜料而使其蒸發(fā)。茂名光學(xué)真空鍍膜
