研究所將晶圓鍵合技術(shù)與深紫外發(fā)光二極管（UV-LED）的研發(fā)相結(jié)合，探索提升器件性能的新途徑。深紫外 LED 在消毒、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，但其芯片散熱問題一直影響著器件的穩(wěn)定性和壽命?？蒲袌F隊嘗試通過晶圓鍵合技術(shù)，將 UV-LED 芯片與高導(dǎo)熱襯底結(jié)合，改善散熱路徑。利用器件測試平臺，對比鍵合前后器件的溫度分布和光輸出功率變化，發(fā)現(xiàn)優(yōu)化后的鍵合工藝能使器件工作溫度有所降低，光衰速率得到一定控制。同時，團隊研究不同鍵合層厚度對紫外光透過率的影響，在保證散熱效果的同時減少對光輸出的影響。這些研究為深紫外 LED 器件的性能提升提供了切實可行的技術(shù)方案，也拓展了晶圓鍵合技術(shù)在特殊光電子器件中的應(yīng)用。晶圓鍵合提升單光子雷達的高靈敏度探測器多維集成能力。深圳晶圓鍵合加工廠
該研究所將晶圓鍵合技術(shù)與微機電系統(tǒng)（MEMS）的制備相結(jié)合，探索其在微型傳感器與執(zhí)行器中的應(yīng)用。在 MEMS 器件的多層結(jié)構(gòu)制備中，鍵合技術(shù)可實現(xiàn)不同功能層的精確組裝，提高器件的集成度與性能穩(wěn)定性。科研團隊利用微納加工平臺的優(yōu)勢，在鍵合后的晶圓上進行精細的結(jié)構(gòu)加工，制作出具有復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的 MEMS 器件原型。測試數(shù)據(jù)顯示，采用鍵合技術(shù)制備的器件在靈敏度與響應(yīng)速度上較傳統(tǒng)方法有一定提升。這些研究為 MEMS 技術(shù)的發(fā)展提供了新的工藝選擇，也拓寬了晶圓鍵合技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。天津表面活化晶圓鍵合加工廠商該所針對不同厚度晶圓，研究鍵合過程中壓力分布的均勻性調(diào)控方法。
科研團隊在晶圓鍵合的界面表征技術(shù)上不斷完善，利用材料分析平臺的高分辨率儀器，深入研究鍵合界面的微觀結(jié)構(gòu)與化學狀態(tài)。通過 X 射線光電子能譜分析，可識別界面處的元素組成與化學鍵類型，為理解鍵合機制提供依據(jù)；而透射電子顯微鏡則能觀察到納米級別的界面缺陷，幫助團隊針對性地優(yōu)化工藝。在對深紫外發(fā)光二極管鍵合界面的研究中，這些表征技術(shù)揭示了界面態(tài)對器件光電性能的影響規(guī)律，為進一步提升器件質(zhì)量提供了精細的改進方向，體現(xiàn)了全鏈條科研平臺在技術(shù)研發(fā)中的支撐作用。
針對晶圓鍵合技術(shù)中的能耗問題，科研團隊開展了節(jié)能工藝的研究，探索在保證鍵合質(zhì)量的前提下降低能耗的可能。通過優(yōu)化溫度 - 壓力曲線，縮短高溫保持時間，同時采用更高效的加熱方式，在實驗中實現(xiàn)了能耗的一定程度降低。對比傳統(tǒng)工藝，改進后的方案在鍵合強度上雖無明顯提升，但能耗降低了部分比例，且鍵合界面的質(zhì)量穩(wěn)定性不受影響。這項研究符合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綠色發(fā)展的趨勢，為晶圓鍵合技術(shù)的可持續(xù)應(yīng)用提供了思路，也體現(xiàn)了研究所對工藝細節(jié)的持續(xù)優(yōu)化精神。晶圓鍵合實現(xiàn)聲學超材料寬頻可調(diào)諧結(jié)構(gòu)制造。
針對晶圓鍵合過程中的表面預(yù)處理環(huán)節(jié)，科研團隊進行了系統(tǒng)研究，分析不同清潔方法對鍵合效果的影響。通過對比等離子體清洗、化學腐蝕等方式，觀察晶圓表面的粗糙度與污染物殘留情況，發(fā)現(xiàn)適當?shù)谋砻婊罨幚砟苊黠@提升鍵合界面的結(jié)合強度。在實驗中，利用原子力顯微鏡可精確測量處理后的表面形貌，為優(yōu)化預(yù)處理參數(shù)提供量化依據(jù)。研究還發(fā)現(xiàn)，表面預(yù)處理的均勻性對大面積晶圓鍵合尤為重要，團隊據(jù)此改進了預(yù)處理設(shè)備的參數(shù)分布，使 6 英寸晶圓表面的活化程度更趨一致。這些細節(jié)上的優(yōu)化，為提升晶圓鍵合的整體質(zhì)量奠定了基礎(chǔ)。晶圓鍵合實現(xiàn)嗅覺-神經(jīng)信號轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的仿生多模態(tài)集成。上海陽極晶圓鍵合加工廠商
晶圓鍵合為紅外探測系統(tǒng)提供寬帶透明窗口與真空封裝。深圳晶圓鍵合加工廠
科研團隊在晶圓鍵合技術(shù)的低溫化研究方面取得一定進展。考慮到部分半導(dǎo)體材料對高溫的敏感性，團隊探索在較低溫度下實現(xiàn)有效鍵合的工藝路徑，通過優(yōu)化表面等離子體處理參數(shù)，增強晶圓表面的活性，減少鍵合所需的溫度條件。在實驗中，利用材料外延平臺的真空環(huán)境設(shè)備，可有效控制鍵合過程中的氣體殘留，提升界面的結(jié)合效果。目前，低溫鍵合工藝在特定材料組合的晶圓上已展現(xiàn)出應(yīng)用潛力，鍵合強度雖略低于高溫鍵合，但能更好地保護材料的固有特性。該研究為熱敏性半導(dǎo)體材料的鍵合提供了新的思路，相關(guān)成果已在行業(yè)交流中得到關(guān)注。深圳晶圓鍵合加工廠
