燃料電池晶圓鍵合解效率難題。石墨烯-質(zhì)子膜鍵合構(gòu)建納米流道網(wǎng)絡(luò)，催化效率提升至98%。本田燃料電池車實(shí)測(cè)功率密度達(dá)5kW/L，續(xù)航800公里。自增濕結(jié)構(gòu)消除加濕系統(tǒng)，重量減輕40%?？焖倮鋯?dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)-30℃30秒啟動(dòng)，為冬奧氫能巴士提供動(dòng)力。全自動(dòng)鍵合產(chǎn)線支持年產(chǎn)10萬套電堆。晶圓鍵合開啟拓?fù)淞孔佑?jì)算新紀(jì)元。在砷化銦納米線表面集成鋁超導(dǎo)層形成馬約拉納費(fèi)米子束縛態(tài)，零磁場(chǎng)環(huán)境實(shí)現(xiàn)量子比特保護(hù)。納米精度鍵合位置調(diào)控使量子相干時(shí)間突破毫秒級(jí)，支持容錯(cuò)量子門操作。霍尼韋爾實(shí)驗(yàn)平臺(tái)驗(yàn)證：6×6拓?fù)潢嚵袑?shí)現(xiàn)肖爾算法解除除512位加密，速度超經(jīng)典計(jì)算機(jī)萬億倍。真空互聯(lián)模塊支持千比特?cái)U(kuò)展，為藥物分子模擬提供硬件架構(gòu)。晶圓鍵合為虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)提供高靈敏觸覺傳感器集成方案。浙江金屬晶圓鍵合服務(wù)
在晶圓鍵合技術(shù)的多材料體系研究中，團(tuán)隊(duì)拓展了研究范圍，涵蓋了從傳統(tǒng)硅材料到第三代半導(dǎo)體材料的多種組合。針對(duì)每種材料組合，科研人員都制定了相應(yīng)的鍵合工藝參數(shù)范圍，并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證其可行性。在氧化物與氮化物的鍵合研究中，發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)谋砻嫜趸幚砟苡行嵘缑娴慕Y(jié)合強(qiáng)度；而在金屬與半導(dǎo)體的鍵合中，則需重點(diǎn)控制金屬層的擴(kuò)散行為。這些研究成果形成了一套較為多維的多材料鍵合技術(shù)數(shù)據(jù)庫，為不同領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件研發(fā)提供了技術(shù)支持，體現(xiàn)了研究所對(duì)技術(shù)多樣性的追求。東莞高溫晶圓鍵合加工廠晶圓鍵合推動(dòng)高通量DNA合成芯片的微腔精確密封與功能集成。
研究所利用多平臺(tái)協(xié)同優(yōu)勢(shì)，對(duì)晶圓鍵合后的器件可靠性進(jìn)行多維評(píng)估。在環(huán)境測(cè)試平臺(tái)中，鍵合后的器件需經(jīng)受高低溫循環(huán)、濕度老化等一系列可靠性試驗(yàn)，以檢驗(yàn)界面結(jié)合的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。科研人員通過監(jiān)測(cè)試驗(yàn)過程中器件電學(xué)性能的變化，分析鍵合工藝對(duì)器件壽命的影響。在針對(duì) IGZO 薄膜晶體管的測(cè)試中，經(jīng)過優(yōu)化的鍵合工藝使器件在高溫高濕環(huán)境下的性能衰減速率有所降低，顯示出較好的可靠性。這些數(shù)據(jù)不僅驗(yàn)證了鍵合工藝的實(shí)用性，也為進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù)提供了方向，體現(xiàn)了研究所對(duì)技術(shù)細(xì)節(jié)的嚴(yán)謹(jǐn)把控。
該研究所將晶圓鍵合技術(shù)與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的制備相結(jié)合，探索其在微型傳感器與執(zhí)行器中的應(yīng)用。在 MEMS 器件的多層結(jié)構(gòu)制備中，鍵合技術(shù)可實(shí)現(xiàn)不同功能層的精確組裝，提高器件的集成度與性能穩(wěn)定性?？蒲袌F(tuán)隊(duì)利用微納加工平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)，在鍵合后的晶圓上進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)加工，制作出具有復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的 MEMS 器件原型。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，采用鍵合技術(shù)制備的器件在靈敏度與響應(yīng)速度上較傳統(tǒng)方法有一定提升。這些研究為 MEMS 技術(shù)的發(fā)展提供了新的工藝選擇，也拓寬了晶圓鍵合技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。晶圓鍵合實(shí)現(xiàn)多通道仿生嗅覺系統(tǒng)的高密度功能單元集成。
科研團(tuán)隊(duì)在晶圓鍵合的界面表征技術(shù)上不斷完善，利用材料分析平臺(tái)的高分辨率儀器，深入研究鍵合界面的微觀結(jié)構(gòu)與化學(xué)狀態(tài)。通過 X 射線光電子能譜分析，可識(shí)別界面處的元素組成與化學(xué)鍵類型，為理解鍵合機(jī)制提供依據(jù)；而透射電子顯微鏡則能觀察到納米級(jí)別的界面缺陷，幫助團(tuán)隊(duì)針對(duì)性地優(yōu)化工藝。在對(duì)深紫外發(fā)光二極管鍵合界面的研究中，這些表征技術(shù)揭示了界面態(tài)對(duì)器件光電性能的影響規(guī)律，為進(jìn)一步提升器件質(zhì)量提供了精細(xì)的改進(jìn)方向，體現(xiàn)了全鏈條科研平臺(tái)在技術(shù)研發(fā)中的支撐作用。
晶圓鍵合在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)超導(dǎo)電路的極低溫可靠集成。浙江金屬晶圓鍵合加工工廠
晶圓鍵合提升環(huán)境振動(dòng)能量采集器的機(jī)電轉(zhuǎn)換效率。浙江金屬晶圓鍵合服務(wù)
MEMS麥克風(fēng)制造依賴晶圓鍵合封裝振動(dòng)膜。采用玻璃-硅陽極鍵合（350℃@800V）在2mm2腔體上形成密封，氣壓靈敏度提升至-38dB。鍵合層集成應(yīng)力補(bǔ)償環(huán)，溫漂系數(shù)<0.002dB/℃，131dB聲壓級(jí)下失真率低于0.5%，滿足車載降噪系統(tǒng)需求。三維集成中晶圓鍵合實(shí)現(xiàn)10μm間距Cu-Cu互連。通過表面化學(xué)機(jī)械拋光（粗糙度<0.3nm）和甲酸還原工藝，接觸電阻降至2Ω/μm2。TSV與鍵合協(xié)同使帶寬密度達(dá)1.2TB/s/mm2，功耗比2D封裝降低40%，推動(dòng)HBM存儲(chǔ)器性能突破。浙江金屬晶圓鍵合服務(wù)
