用O2等離子體對(duì)樣品整體處理，以清理顯影后可能的非望殘留。特別是負(fù)膠但也包括正膠，在顯影后會(huì)在原來(lái)膠-基板界面處殘留聚合物薄層，這個(gè)問題在結(jié)構(gòu)小于1um或大深-寬比的結(jié)構(gòu)中更為嚴(yán)重。當(dāng)然過(guò)程中留膠厚度也會(huì)降低，但是影響不會(huì)太大。在刻蝕或鍍膜之前需要硬烤以去除殘留的顯影液和水，并退火以改善由于顯影過(guò)程滲透和膨脹導(dǎo)致的界面接合狀況。同時(shí)提高膠的硬度和提高抗刻蝕性。硬烤溫度一般高達(dá)120度以上，時(shí)間也在20分左右。主要的限制是溫度過(guò)高會(huì)使圖形邊緣變差以及刻蝕后難以去除。光刻過(guò)程中，光源的純凈度至關(guān)重要。江西MEMS材料刻蝕
當(dāng)圖形尺寸大于3μm時(shí)，濕法刻蝕廣用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的圖形化過(guò)程。濕法刻蝕具有非常好的選擇性和高刻蝕速率，這根據(jù)刻蝕劑的溫度和厚度而定。比如，氫氟酸（HF）刻蝕二氧化硅的速度很快，但如果單獨(dú)使用卻很難刻蝕硅。因此在使用氫氟酸刻蝕硅晶圓上的二氧化硅層時(shí)，硅襯底就能獲得很高的選擇性。相對(duì)于干法刻蝕，濕法刻蝕的設(shè)備便宜很多，因?yàn)樗恍枰婵?、射頻和氣體輸送等系統(tǒng)。然而當(dāng)圖形尺寸縮小到3μm以下時(shí)，由于濕法刻蝕為等向性刻蝕輪廓（見圖2），因此繼續(xù)使用濕法刻蝕作為圖形化刻蝕就變得非常困難，利用濕法刻蝕處理圖形尺寸小于3μm的密集圖形是不可能的。由于等離子體刻蝕具有非等向性刻蝕輪廓，在更精密的圖形化刻蝕中，等離子體刻蝕就逐漸取代了濕法刻蝕。濕法刻蝕因高選擇性被用于剝除晶圓表面的整面全區(qū)薄膜。江西MEMS材料刻蝕光刻技術(shù)的發(fā)展需跨領(lǐng)域合作，融合多學(xué)科知識(shí)。
光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是曝光前一個(gè)重要步驟作為光刻的三大主要技術(shù)之一，一般要求對(duì)準(zhǔn)精度為細(xì)線寬尺寸的1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高，對(duì)準(zhǔn)精度要求也越來(lái)越高，例如針對(duì)45am線寬尺寸，對(duì)準(zhǔn)精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推動(dòng)，對(duì)準(zhǔn)技術(shù)也經(jīng)歷迅速而多樣的發(fā)展。從對(duì)準(zhǔn)原理上及標(biāo)記結(jié)構(gòu)分類，對(duì)準(zhǔn)技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對(duì)準(zhǔn)方式，包括視頻圖像對(duì)準(zhǔn)、雙目顯微鏡對(duì)準(zhǔn)等，一直到后來(lái)的波帶片對(duì)準(zhǔn)方式、干涉強(qiáng)度對(duì)準(zhǔn)、激光外差干涉以及莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)方式。
視頻圖像處理對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，是指在光刻套刻的過(guò)程中，掩模圖樣與硅片基板之間基本上只存在相對(duì)旋轉(zhuǎn)和平移，充分利用這一有利條件，結(jié)合機(jī)器視覺映射技術(shù)，利用相機(jī)采集掩模圖樣與硅片基板的對(duì)位標(biāo)記信號(hào)。此種方法看上去雖然與雙目顯微鏡對(duì)準(zhǔn)有些類似，但是實(shí)質(zhì)其實(shí)有所不同。場(chǎng)像處理對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是通過(guò)CCDS攝像對(duì)兩個(gè)對(duì)位標(biāo)記圖像進(jìn)行采集、濾波、特征提取等處理，通過(guò)圖像處理單元進(jìn)行精確定位和匹配參數(shù)計(jì)算，求得掩模圖樣與硅片基板之間的相對(duì)旋轉(zhuǎn)和平移量，然后進(jìn)行相位補(bǔ)償和平移量補(bǔ)償，自動(dòng)完成對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程。其光源一般是寬帶的鹵素?zé)?，波長(zhǎng)在550~800nm。相對(duì)于其他的對(duì)準(zhǔn)方式其具有對(duì)準(zhǔn)精度高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可操作性強(qiáng)、效率高的優(yōu)勢(shì)。其對(duì)準(zhǔn)精度誤差主要來(lái)自于圖像處理過(guò)程。因此，選擇合適的圖像處理算法顯得尤為重要。曝光后烘烤是化學(xué)放大膠工藝中關(guān)鍵，也是反應(yīng)機(jī)理復(fù)雜的一道工序。
光刻膠原料是光刻膠產(chǎn)業(yè)的重要環(huán)節(jié)，原料的品質(zhì)也決定了光刻膠產(chǎn)品品質(zhì)。光刻膠上游原材料是指光刻膠化學(xué)品一級(jí)原料，可以細(xì)分為感光劑、溶劑、成膜樹脂及添加劑（助劑、單體等）。在典型的光刻膠組分中，一般溶劑含量占到65%-90%，成膜樹脂占5%-25%，感光劑及添加劑占15%以下。我國(guó)對(duì)光刻膠及化學(xué)品的研究起步較晚，盡管取得了一定成果，但技術(shù)水平仍與國(guó)際水平相差較大，作為原料的主要化學(xué)品仍然需要依賴進(jìn)口。同時(shí)在當(dāng)前市場(chǎng)中，受光刻膠產(chǎn)品特性影響，光刻膠用原材料更偏向于客制化產(chǎn)品，原材料需要滿足特定的分析結(jié)構(gòu)、分子量、純度以及粒徑控制等。TMAH稀溶液在光刻中普遍用于光刻膠的顯影。浙江氮化鎵材料刻蝕
光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。江西MEMS材料刻蝕
通過(guò)光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步通過(guò)刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件。刻蝕技術(shù)，是按照掩模圖形對(duì)襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對(duì)刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無(wú)明顯差異。而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性極高，均能達(dá)成刻蝕的目的。其較重要的優(yōu)點(diǎn)是能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用。江西MEMS材料刻蝕
