電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中一種常用的方法，是在高真空條件下利用電子束激發(fā)進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，是使蒸發(fā)材料由固體轉(zhuǎn)變?yōu)闅饣⑾蛞r底輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于底部有循環(huán)水冷的坩堝當(dāng)中，可避免電子束擊穿坩堝導(dǎo)致儀器損壞，而且可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。先進(jìn)的真空鍍膜技術(shù)提升產(chǎn)品美觀度。北京新型真空鍍膜
LPCVD技術(shù)在未來還有可能與其他技術(shù)相結(jié)合，形成新的沉積技術(shù)，以滿足不同領(lǐng)域的需求。例如，LPCVD技術(shù)可以與等離子體輔助技術(shù)相結(jié)合，形成等離子體輔助LPCVD（PLPCVD）技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更低的沉積溫度、更快的沉積速率、更好的薄膜質(zhì)量和性能等。又如，LPCVD技術(shù)可以與原子層沉積（ALD）技術(shù)相結(jié)合，形成原子層LPCVD（ALLPCVD）技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高的厚度精度、更好的均勻性、更好的界面質(zhì)量和兼容性等。因此，LPCVD技術(shù)在未來還有可能產(chǎn)生新的變化和創(chuàng)新，為各種領(lǐng)域提供更多的可能性和機(jī)遇。真空鍍膜廠家真空鍍膜技術(shù)能提升產(chǎn)品的市場競爭力。
LPCVD設(shè)備中重要的工藝參數(shù)之一是反應(yīng)溫度，因?yàn)樗苯佑绊懥朔磻?yīng)速率、反應(yīng)機(jī)理、反應(yīng)產(chǎn)物、反應(yīng)選擇性等方面。一般來說，反應(yīng)溫度越高，反應(yīng)速率越快，沉積速率越高；反應(yīng)溫度越低，反應(yīng)速率越慢，沉積速率越低。但是，并不是反應(yīng)溫度越高越好，因?yàn)檫^高的反應(yīng)溫度也會(huì)帶來一些不利的影響。例如，過高的反應(yīng)溫度會(huì)導(dǎo)致氣體前驅(qū)體過早分解或聚合，從而降低沉積效率或增加副產(chǎn)物；過高的反應(yīng)溫度會(huì)導(dǎo)致襯底材料發(fā)生熱損傷或熱擴(kuò)散，從而降低襯底質(zhì)量或改變襯底特性；過高的反應(yīng)溫度會(huì)導(dǎo)致薄膜材料發(fā)生結(jié)晶或相變，從而改變薄膜結(jié)構(gòu)或性能。
對(duì)于典型的半導(dǎo)體應(yīng)用，基板被放置在兩個(gè)平行電極之間的沉積室中一個(gè)接地電極，通常是一個(gè)射頻通電電極.前體氣體如硅烷(SiH4)和氨(NH3)通常與惰性氣體如氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)混合以控制過程。這些氣體通過基板上方的噴頭固定裝置引入腔室，有助于將氣體更均勻地分布到基板上。等離子體由電極之間的放電(100–300eV)點(diǎn)燃，在基板周圍發(fā)生啟輝，有助于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)化學(xué)反應(yīng)的熱能。前體氣體分子與高能電子碰撞，然后通過氣流傳播到基板，在那里它們發(fā)生反應(yīng)并被吸收在基板表面上以生長薄膜。然后將化學(xué)副產(chǎn)品抽走，完成沉積過程。鍍膜層能有效隔絕空氣中的氧氣和水分。
對(duì)于PECVD如果成膜質(zhì)量差，則主要由一下幾項(xiàng)因素造成：1.樣片表面清潔度差，檢查樣品表面是否清潔。2.工藝腔體清潔度差，清洗工藝腔體。3.樣品溫度異常，檢查溫控系統(tǒng)是否正常，校準(zhǔn)測溫?zé)犭娕肌?.膜淀積過程中壓力異常，檢查腔體真空系統(tǒng)漏率。5.射頻功率設(shè)置不合理，檢查射頻電源，調(diào)整設(shè)置功率。影響PECVD工藝質(zhì)量的因素主要有以下幾個(gè)方面：1.起輝電壓：間距的選擇應(yīng)使起輝電壓盡量低，以降低等離子電位，減少對(duì)襯底的損傷。2.極板間距和腔體氣壓：極板間距較大時(shí)，對(duì)襯底的損傷較小，但間距不宜過大，否則會(huì)加重電場的邊緣效應(yīng)，影響淀積的均勻性。反應(yīng)腔體的尺寸可以增加生產(chǎn)率，但是也會(huì)對(duì)厚度的均勻性產(chǎn)生影響。3.射頻電源的工作頻率，射頻PECVD通常采用50kHz~13.56MHz頻段射頻電源，頻率高，等離子體中離子的轟擊作用強(qiáng)，淀積的薄膜更加致密，但對(duì)襯底的損傷也比較大。鍍膜過程需在高度真空環(huán)境中進(jìn)行。清遠(yuǎn)鈦金真空鍍膜
薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在等。北京新型真空鍍膜
LPCVD的關(guān)鍵硬件主要包括以下幾個(gè)部分：反應(yīng)器：LPCVD反應(yīng)器是用于進(jìn)行LPCVD制程的主要設(shè)備，它由一個(gè)密封的容器和一個(gè)加熱系統(tǒng)組成。根據(jù)反應(yīng)器的形狀和加熱方式的不同，LPCVD反應(yīng)器可以分為水平管式反應(yīng)器、垂直管式反應(yīng)器、單片反應(yīng)器等。水平管式反應(yīng)器是一種常用的LPCVD反應(yīng)器，它由一個(gè)水平放置的石英管和一個(gè)螺旋形的電阻絲加熱系統(tǒng)組成，可以同時(shí)處理多片襯底，具有較高的生產(chǎn)效率和較好的沉積均勻性。垂直管式反應(yīng)器是另一種常用的LPCVD反應(yīng)器，它由一個(gè)垂直放置的石英管和一個(gè)電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)組成，可以實(shí)現(xiàn)更高的沉積溫度和更快的沉積速率，適用于高溫沉積材料。北京新型真空鍍膜
