在電子束曝光與離子注入工藝的結(jié)合研究中，科研團(tuán)隊(duì)探索了高精度摻雜區(qū)域的制備技術(shù)。離子注入的摻雜區(qū)域需要與器件圖形精確匹配，團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光制備掩模圖形，控制離子注入的區(qū)域與深度，研究不同摻雜濃度對(duì)器件電學(xué)性能的影響。在 IGZO 薄膜晶體管的研究中，優(yōu)化后的曝光與注入工藝使器件的溝道導(dǎo)電性調(diào)控精度得到提升，為器件性能的精細(xì)化調(diào)節(jié)提供了可能。這項(xiàng)研究展示了電子束曝光在半導(dǎo)體摻雜工藝中的關(guān)鍵作用。通過匯總不同科研機(jī)構(gòu)的工藝數(shù)據(jù)，分析電子束曝光關(guān)鍵參數(shù)的合理范圍，為制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)提供參考。在內(nèi)部研究中，團(tuán)隊(duì)已建立一套針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的電子束刻合為虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)提供高靈敏觸覺傳感器集成方案。河南量子器件電子束曝光服務(wù)
在電子束曝光與材料外延生長的協(xié)同研究中，科研團(tuán)隊(duì)探索了先曝光后外延的工藝路線。針對(duì)特定氮化物半導(dǎo)體器件的需求，團(tuán)隊(duì)在襯底上通過電子束曝光制備圖形化掩模，再利用材料外延平臺(tái)進(jìn)行選擇性外延生長，實(shí)現(xiàn)了具有特定形貌的半導(dǎo)體 nanostructure。研究發(fā)現(xiàn)，曝光圖形的尺寸與間距會(huì)影響外延材料的晶體質(zhì)量，通過調(diào)整曝光參數(shù)可調(diào)控外延層的生長速率與形貌，目前已在納米線陣列的制備中獲得了較為均勻的結(jié)構(gòu)分布。研究所針對(duì)電子束曝光在大面積晶圓上的均勻性問題開展研究。由于電子束在掃描過程中可能出現(xiàn)能量衰減，6 英寸晶圓邊緣的圖形質(zhì)量有時(shí)會(huì)與中心區(qū)域存在差異，科研團(tuán)隊(duì)通過分區(qū)校準(zhǔn)曝光劑量的方式，改善了晶圓面內(nèi)的曝光均勻性。云南NEMS器件電子束曝光服務(wù)電子束曝光推動(dòng)自發(fā)光量子點(diǎn)顯示的色彩轉(zhuǎn)換層高效集成。
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所依托其微納加工平臺(tái)的先進(jìn)設(shè)備，在電子束曝光技術(shù)研發(fā)中持續(xù)發(fā)力。該平臺(tái)配備的高精度電子束曝光系統(tǒng)，具備納米級(jí)分辨率，可滿足第三代半導(dǎo)體材料微納結(jié)構(gòu)制備的需求?？蒲袌F(tuán)隊(duì)針對(duì)氮化物半導(dǎo)體材料的特性，研究電子束能量與曝光劑量對(duì)圖形轉(zhuǎn)移精度的影響，通過調(diào)整加速電壓與束流參數(shù)，在 2-6 英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)了亞微米級(jí)圖形的穩(wěn)定制備。借助設(shè)備總值逾億元的科研平臺(tái)，團(tuán)隊(duì)能夠?qū)ζ毓夂蟮膱D形進(jìn)行精細(xì)表征，為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐，目前已在深紫外發(fā)光二極管的電極圖形制備中積累了多項(xiàng)實(shí)用技術(shù)參數(shù)。
利用高分辨率透射電鏡觀察，發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)的位置偏差可控制在較小范圍內(nèi)，滿足量子器件的設(shè)計(jì)要求。這項(xiàng)研究展示了電子束曝光技術(shù)在量子信息領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，為構(gòu)建高精度量子功能結(jié)構(gòu)提供了技術(shù)基礎(chǔ)。圍繞電子束曝光的環(huán)境因素影響，科研團(tuán)隊(duì)開展了系統(tǒng)性研究。溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)的波動(dòng)可能影響電子束的穩(wěn)定性與抗蝕劑性能，團(tuán)隊(duì)通過在曝光設(shè)備周圍建立恒溫恒濕環(huán)境控制單元，減少了環(huán)境因素對(duì)曝光精度的干擾。對(duì)比環(huán)境控制前后的圖形制備結(jié)果，發(fā)現(xiàn)線寬偏差的波動(dòng)范圍縮小了一定比例，圖形的長期穩(wěn)定性得到改善。這些細(xì)節(jié)上的改進(jìn)，體現(xiàn)了研究所對(duì)精密制造過程的嚴(yán)格把控，為電子束曝光技術(shù)的可靠應(yīng)用提供了保障。電子束刻合助力空間太陽能電站實(shí)現(xiàn)輕量化高功率陣列。
科研團(tuán)隊(duì)探索電子束曝光與化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的協(xié)同應(yīng)用，用于制備全局平坦化的多層結(jié)構(gòu)。多層器件在制備過程中易出現(xiàn)表面起伏，影響后續(xù)曝光精度，團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光定義拋光阻擋層圖形，結(jié)合化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)現(xiàn)局部區(qū)域的精細(xì)平坦化。對(duì)比傳統(tǒng)拋光方法，該技術(shù)能使多層結(jié)構(gòu)的表面粗糙度降低一定比例，為后續(xù)曝光工藝提供更平整的基底。在三維集成器件的研究中，這種協(xié)同工藝有效提升了層間對(duì)準(zhǔn)精度，為高密度集成器件的制備開辟了新路徑，體現(xiàn)了多工藝融合的技術(shù)創(chuàng)新思路。電子束刻蝕實(shí)現(xiàn)聲學(xué)超材料寬頻可調(diào)諧結(jié)構(gòu)制造。中山微納光刻電子束曝光代工
電子束曝光在微型熱電制冷器領(lǐng)域突破界面熱阻控制瓶頸。河南量子器件電子束曝光服務(wù)
在電子束曝光工藝優(yōu)化方面，研究所聚焦曝光效率與圖形質(zhì)量的平衡問題。針對(duì)傳統(tǒng)電子束曝光速度較慢的局限，科研人員通過分區(qū)曝光策略與參數(shù)預(yù)設(shè)方案，在保證圖形精度的前提下，提升了 6 英寸晶圓的曝光效率。利用微納加工平臺(tái)的協(xié)同優(yōu)勢(shì)，團(tuán)隊(duì)將電子束曝光與干法刻蝕工藝結(jié)合，研究不同曝光后處理方式對(duì)圖形側(cè)壁垂直度的影響，發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)钠毓夂蠛婵緶囟饶軠p少圖形邊緣的模糊現(xiàn)象。這些工藝優(yōu)化工作使電子束曝光技術(shù)更適應(yīng)中試規(guī)模的生產(chǎn)需求，為第三代半導(dǎo)體器件的批量制備提供了可行路徑。河南量子器件電子束曝光服務(wù)
