在電子束曝光工藝優(yōu)化方面，研究所聚焦曝光效率與圖形質(zhì)量的平衡問(wèn)題。針對(duì)傳統(tǒng)電子束曝光速度較慢的局限，科研人員通過(guò)分區(qū)曝光策略與參數(shù)預(yù)設(shè)方案，在保證圖形精度的前提下，提升了 6 英寸晶圓的曝光效率。利用微納加工平臺(tái)的協(xié)同優(yōu)勢(shì)，團(tuán)隊(duì)將電子束曝光與干法刻蝕工藝結(jié)合，研究不同曝光后處理方式對(duì)圖形側(cè)壁垂直度的影響，發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)钠毓夂蠛婵緶囟饶軠p少圖形邊緣的模糊現(xiàn)象。這些工藝優(yōu)化工作使電子束曝光技術(shù)更適應(yīng)中試規(guī)模的生產(chǎn)需求，為第三代半導(dǎo)體器件的批量制備提供了可行路徑。電子束刻合為環(huán)境友好型農(nóng)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)提供可持續(xù)封裝方案。廣東高分辨電子束曝光加工平臺(tái)
電子束曝光推動(dòng)全息存儲(chǔ)技術(shù)突破物理極限，通過(guò)在光敏材料表面構(gòu)建三維體相位光柵實(shí)現(xiàn)信息編碼。特殊設(shè)計(jì)的納米級(jí)像素單元可同時(shí)記錄振幅與相位信息，支持多層次數(shù)據(jù)疊加。自修復(fù)型抗蝕劑保障存儲(chǔ)單元10年穩(wěn)定性，在銀行級(jí)冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)單盤(pán)1.6PB容量。讀寫(xiě)頭集成動(dòng)態(tài)變焦功能，數(shù)據(jù)傳輸速率較藍(lán)光提升100倍，為數(shù)字文化遺產(chǎn)長(zhǎng)久保存提供技術(shù)基石。電子束曝光革新海水淡化膜設(shè)計(jì)范式，基于氧化石墨烯的分形納米通道優(yōu)化水分子傳輸路徑。仿生葉脈式支撐結(jié)構(gòu)增強(qiáng)膜片機(jī)械強(qiáng)度，鹽離子截留率突破99.97%。自清潔表面特性實(shí)現(xiàn)抗生物污染功能，在海洋漂浮式平臺(tái)連續(xù)運(yùn)行5000小時(shí)通量衰減低于5%。該技術(shù)使單噸淡水能耗降至2kWh，為干旱地區(qū)提供可持續(xù)水資源解決方案。遼寧T型柵電子束曝光加工廠電子束曝光提升熱電制冷器界面?zhèn)鬏斝逝c可靠性。
圍繞電子束曝光的套刻精度控制，科研團(tuán)隊(duì)開(kāi)展了系統(tǒng)研究。在多層結(jié)構(gòu)器件的制備中，各層圖形的對(duì)準(zhǔn)精度直接影響器件性能，團(tuán)隊(duì)通過(guò)改進(jìn)晶圓定位系統(tǒng)與標(biāo)記識(shí)別算法，將套刻誤差控制在較小范圍內(nèi)。依托材料外延平臺(tái)的表征設(shè)備，可精確測(cè)量不同層間圖形的相對(duì)位移，為套刻參數(shù)的優(yōu)化提供量化依據(jù)。在第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)中，該技術(shù)確保了源漏電極與溝道區(qū)域的精細(xì)對(duì)準(zhǔn)，有效降低了器件的接觸電阻，相關(guān)工藝參數(shù)已納入中試生產(chǎn)規(guī)范。
將電子束曝光技術(shù)與深紫外發(fā)光二極管的光子晶體結(jié)構(gòu)制備相結(jié)合，是研究所的另一項(xiàng)應(yīng)用探索。光子晶體可調(diào)控光的傳播方向，提升器件的光提取效率，科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)電子束曝光在器件表面制備亞波長(zhǎng)周期結(jié)構(gòu)，研究周期參數(shù)對(duì)光提取效率的影響。利用光學(xué)測(cè)試平臺(tái)，對(duì)比不同光子晶體圖形下器件的發(fā)光強(qiáng)度，發(fā)現(xiàn)特定周期的結(jié)構(gòu)能使深紫外光的出光效率提升一定比例。這項(xiàng)工作展示了電子束曝光在光學(xué)功能結(jié)構(gòu)制備中的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，為提升光電子器件性能提供了新途徑。電子束刻蝕實(shí)現(xiàn)聲學(xué)超材料寬頻可調(diào)諧結(jié)構(gòu)制造。
電子束曝光解決固態(tài)電池固固界面瓶頸，通過(guò)三維離子通道網(wǎng)絡(luò)增大電極接觸面積。梯度孔道結(jié)構(gòu)引導(dǎo)鋰離子均勻沉積，消除枝晶生長(zhǎng)隱患。自愈合電解質(zhì)層修復(fù)循環(huán)裂縫，實(shí)現(xiàn)1000次充放電容量保持率＞95%。在電動(dòng)飛機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)中，能量密度達(dá)450Wh/kg，支持2000km不間斷飛行。電子束曝光賦能飛行器智能隱身，基于可編程超表面實(shí)現(xiàn)全向雷達(dá)波調(diào)控。動(dòng)態(tài)可調(diào)諧振單元實(shí)現(xiàn)GHz-KHz頻段自適應(yīng)隱身，雷達(dá)散射截面縮減千萬(wàn)倍。機(jī)器學(xué)習(xí)算法在線優(yōu)化相位分布，在六代戰(zhàn)機(jī)測(cè)試中突防成功率提升83%。柔性基底集成技術(shù)使蒙皮厚度0.3mm，保持氣動(dòng)外形完整。電子束曝光在MEMS器件加工中實(shí)現(xiàn)微諧振結(jié)構(gòu)的亞納米級(jí)精度控制。遼寧T型柵電子束曝光加工廠
電子束曝光與電鏡聯(lián)用實(shí)現(xiàn)納米器件的原位加工、表征一體化平臺(tái)。廣東高分辨電子束曝光加工平臺(tái)
在電子束曝光與離子注入工藝的結(jié)合研究中，科研團(tuán)隊(duì)探索了高精度摻雜區(qū)域的制備技術(shù)。離子注入的摻雜區(qū)域需要與器件圖形精確匹配，團(tuán)隊(duì)通過(guò)電子束曝光制備掩模圖形，控制離子注入的區(qū)域與深度，研究不同摻雜濃度對(duì)器件電學(xué)性能的影響。在 IGZO 薄膜晶體管的研究中，優(yōu)化后的曝光與注入工藝使器件的溝道導(dǎo)電性調(diào)控精度得到提升，為器件性能的精細(xì)化調(diào)節(jié)提供了可能。這項(xiàng)研究展示了電子束曝光在半導(dǎo)體摻雜工藝中的關(guān)鍵作用。通過(guò)匯總不同科研機(jī)構(gòu)的工藝數(shù)據(jù)，分析電子束曝光關(guān)鍵參數(shù)的合理范圍，為制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)提供參考。在內(nèi)部研究中，團(tuán)隊(duì)已建立一套針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的廣東高分辨電子束曝光加工平臺(tái)
