電子束曝光推動(dòng)再生醫(yī)學(xué)跨越式發(fā)展，在生物支架構(gòu)建人工血管網(wǎng)。梯度孔徑設(shè)計(jì)模擬真實(shí)血管分叉結(jié)構(gòu)，促血管內(nèi)皮細(xì)胞定向生長(zhǎng)。在3D打印兔骨缺損模型中，兩周實(shí)現(xiàn)血管網(wǎng)絡(luò)重建，骨愈合速度加快兩倍。智能藥物緩釋單元實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)因子精確投遞，為再造提供技術(shù)平臺(tái)。電子束曝光實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)探測(cè)靈敏度，為超導(dǎo)量子干涉器設(shè)計(jì)納米線圈。原子級(jí)平整約瑟夫森結(jié)界面保障磁通量子高效隧穿，腦磁圖分辨率達(dá)0.01pT。在帕金森病研究中實(shí)現(xiàn)黑質(zhì)區(qū)異常放電毫秒級(jí)追蹤，神經(jīng)外科手術(shù)導(dǎo)航精度提升至50微米。移動(dòng)式檢測(cè)頭盔突破傳統(tǒng)設(shè)備限制，癲癇病灶定位準(zhǔn)確率99.6%。電子束曝光在微型熱電制冷器領(lǐng)域突破界面熱阻控制瓶頸。甘肅光波導(dǎo)電子束曝光技術(shù)
量子點(diǎn)顯示技術(shù)借力電子束曝光突破色彩轉(zhuǎn)換瓶頸。在InGaN藍(lán)光晶圓表面構(gòu)建光學(xué)校準(zhǔn)微腔，精細(xì)調(diào)控量子點(diǎn)受激輻射波長(zhǎng)。多層抗蝕劑工藝形成倒金字塔反射結(jié)構(gòu)，使紅綠量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化效率突破95%。色彩一致性控制達(dá)DeltaE<0.5，支持全色域顯示無(wú)差異。在元宇宙虛擬現(xiàn)實(shí)裝備中，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)20000nit峰值亮度下的像素級(jí)控光，動(dòng)態(tài)對(duì)比度突破10?:1，消除動(dòng)態(tài)模糊偽影。電子束曝光在人工光合系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)光能-化學(xué)能定向轉(zhuǎn)化。通過(guò)多級(jí)分形流道設(shè)計(jì)優(yōu)化二氧化碳傳輸路徑，在二氧化鈦光催化層表面構(gòu)建納米錐陣列陷阱結(jié)構(gòu)。特殊的雙曲等離激元共振結(jié)構(gòu)使可見(jiàn)光吸收譜拓寬至800nm，太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化效率達(dá)2.3%。工業(yè)級(jí)測(cè)試顯示，每平方米反應(yīng)器日合成甲酸量達(dá)15升，轉(zhuǎn)化選擇性>99%。該技術(shù)將加速碳中和技術(shù)落地，在沙漠地區(qū)建立分布式能源-化工聯(lián)產(chǎn)系統(tǒng)。廣東T型柵電子束曝光加工平臺(tái)電子束曝光與電鏡聯(lián)用實(shí)現(xiàn)納米器件的原位加工、表征一體化平臺(tái)。
科研團(tuán)隊(duì)在電子束曝光的抗蝕劑選擇與處理工藝上進(jìn)行了細(xì)致研究。不同抗蝕劑對(duì)電子束的靈敏度與分辨率存在差異，團(tuán)隊(duì)針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的刻蝕需求，測(cè)試了多種正性與負(fù)性抗蝕劑的性能，篩選出適合氮化物刻蝕的抗蝕劑類型。通過(guò)優(yōu)化抗蝕劑的涂膠厚度與前烘溫度，減少了曝光過(guò)程中的氣泡缺陷，提升了圖形的完整性。在中試規(guī)模的實(shí)驗(yàn)中，這些抗蝕劑處理工藝使 6 英寸晶圓的圖形合格率得到一定提升，為電子束曝光技術(shù)的穩(wěn)定應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
針對(duì)電子束曝光在異質(zhì)結(jié)器件制備中的應(yīng)用，科研團(tuán)隊(duì)研究了不同材料界面處的圖形轉(zhuǎn)移規(guī)律。異質(zhì)結(jié)器件的多層材料可能具有不同的刻蝕選擇性，團(tuán)隊(duì)通過(guò)電子束曝光在頂層材料上制備圖形，再通過(guò)分步刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到下層不同材料中，研究刻蝕時(shí)間與氣體比例對(duì)跨材料圖形一致性的影響。在氮化物 / 硅異質(zhì)結(jié)器件的制備中，優(yōu)化后的工藝使不同材料層的圖形線寬偏差控制在較小范圍內(nèi)，保證了器件的電學(xué)性能。科研團(tuán)隊(duì)在電子束曝光設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化適配方面進(jìn)行了探索。為降低對(duì)進(jìn)口設(shè)備的依賴，團(tuán)隊(duì)與國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商合作，測(cè)試國(guó)產(chǎn)電子束曝光系統(tǒng)的性能參數(shù)，針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的需求提出改進(jìn)建議。通過(guò)調(diào)整設(shè)備的控制軟件與硬件參數(shù)，使國(guó)產(chǎn)設(shè)備在 6 英寸晶圓上的曝光精度達(dá)到實(shí)用要求，與進(jìn)口設(shè)備的差距縮小了一定比例。電子束刻蝕推動(dòng)人工視覺(jué)芯片的光電轉(zhuǎn)換層高效融合。
電子束曝光開(kāi)創(chuàng)液體活檢新紀(jì)元，在硅基芯片構(gòu)建納米級(jí)細(xì)胞分選陷阱。仿血腦屏障多級(jí)過(guò)濾結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)循環(huán)腫瘤細(xì)胞高純度捕獲，微流控電穿孔系統(tǒng)完成單細(xì)胞基因測(cè)序。早期檢出靈敏度達(dá)0.001%，在肺病篩查中較CT檢查發(fā)現(xiàn)病灶。手持式檢測(cè)儀實(shí)現(xiàn)30分鐘完成從抽血到報(bào)告全流程。電子束曝光重塑環(huán)境微能源采集技術(shù)，通過(guò)仿生渦旋葉片優(yōu)化風(fēng)能轉(zhuǎn)換效率。壓電復(fù)合材料的智能變形結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)3-15m/s風(fēng)速自適應(yīng)，轉(zhuǎn)換效率突破35%。自供電無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)在青藏鐵路凍土監(jiān)測(cè)中連續(xù)運(yùn)行5年，溫度監(jiān)測(cè)精度±0.1℃，預(yù)警地質(zhì)災(zāi)害準(zhǔn)確率98.7%。電子束曝光為人工光合系統(tǒng)提供光催化微腔一體化制造。山西電子束曝光技術(shù)
電子束曝光為植入式醫(yī)療電子提供長(zhǎng)效生物界面封裝。甘肅光波導(dǎo)電子束曝光技術(shù)
研究所針對(duì)電子束曝光在大面積晶圓上的均勻性問(wèn)題開(kāi)展研究。由于電子束在掃描過(guò)程中可能出現(xiàn)能量衰減，6 英寸晶圓邊緣的圖形質(zhì)量有時(shí)會(huì)與中心區(qū)域存在差異，科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)分區(qū)校準(zhǔn)曝光劑量的方式，改善了晶圓面內(nèi)的曝光均勻性。利用原子力顯微鏡對(duì)晶圓不同區(qū)域的圖形進(jìn)行表征，結(jié)果顯示優(yōu)化后的工藝使邊緣與中心的線寬偏差控制在較小范圍內(nèi)。這項(xiàng)研究提升了電子束曝光技術(shù)在大面積器件制備中的適用性，為第三代半導(dǎo)體中試生產(chǎn)中的批量一致性提供了保障。甘肅光波導(dǎo)電子束曝光技術(shù)
