濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學(xué)反應(yīng)。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無論條件調(diào)整得多么精細，濕法蝕刻都難以實現(xiàn)1μm以下的精細加工。其原因之一是需要控制側(cè)面蝕刻。側(cè)蝕是一種也稱為底切的現(xiàn)象。即使希望通過濕式蝕刻在垂直方向（深度方向）溶解材料，也不可能完全防止溶液腐蝕側(cè)面，因此材料在平行方向的溶解將不可避免地進行。由于這種現(xiàn)象，濕蝕刻隨機產(chǎn)生比目標寬度窄的部分。這樣，在加工需要精密電流控制的產(chǎn)品時，再現(xiàn)性低，精度不可靠。光刻技術(shù)革新正帶領(lǐng)著集成電路產(chǎn)業(yè)的變革。北京光刻加工平臺
光刻對準技術(shù)是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大主要技術(shù)之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高，對準精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推動，對準技術(shù)也經(jīng)歷迅速而多樣的發(fā)展。從對準原理上及標記結(jié)構(gòu)分類，對準技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式、干涉強度對準、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式。江西低線寬光刻光刻機的校準和維護是確保高質(zhì)量產(chǎn)出的基礎(chǔ)。
UV-LED光源作為一種新興光源，近幾年技術(shù)獲得了極大的進步，在光刻機上同樣作為光源使用。與傳統(tǒng)汞燈相比，具有光強更高、穩(wěn)定性更好的特點，可節(jié)省電能約50%，壽命延長5倍～10倍。一支汞燈的使用壽命通常在800～1000h，在進行工業(yè)生產(chǎn)中，通常24h保持工作狀態(tài)，能耗極大，隨著持續(xù)使用光強快速衰減，需要根據(jù)工藝需求不斷對汞燈位置進行校正，調(diào)節(jié)光強大小以滿足曝光時光強求。UV-LED光源采用電子快門技術(shù)，曝光結(jié)束后LED自動關(guān)閉，間斷性的使用極大地延長了LED的使用時間，曝光光強可以通過調(diào)節(jié)燈珠功率實現(xiàn)，操作簡單方便。套刻精度(OverlayAccuracy)的基本含義是指前后兩道光刻工序之間兩者圖形的對準精度，如果對準的偏差過大，就會直接影響產(chǎn)品的良率。一般光刻機廠商會提供每臺設(shè)備的極限套刻精度。套刻精度作為是光刻機的另一個非常重要的技術(shù)指標，不同光刻機會采用不同的對準系統(tǒng)，與此同時每層圖形的對準標記也有所不同。
剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除光刻膠獲得圖案化的金屬的工藝。在剝離工藝中，有幾種關(guān)鍵因素影響得到的金屬形貌。1.光刻膠的厚度。光刻膠厚度需大于金屬厚度，一般光刻膠厚度在金屬厚度的三倍以上膠面上的金屬更易成功剝離。2.光刻膠種類。紫外光刻中，正膠光刻膠一般為“正梯形”，負膠光刻膠側(cè)壁形貌一般為“倒梯性”。“倒梯形”的光刻膠更容易剝離，故在剝離工藝中常使用負膠。3.鍍膜工藝。蒸發(fā)鍍膜相比濺射鍍膜在光刻膠側(cè)壁更少鍍上金屬，因此蒸發(fā)鍍膜更易剝離。光掩膜版的制作則是通過無掩膜光刻技術(shù)得到。
濕法刻蝕是集成電路制造工藝采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。尤其是在對氧化物去除殘留與表皮剝離的刻蝕中，比干法刻蝕更為有效和經(jīng)濟。濕法刻蝕的對象主要有氧化硅、氮化硅、單晶硅或多晶硅等。濕法刻蝕氧化硅通常采用氫氟酸（HF）為主要化學(xué)載體。為了提高選擇性，工藝中采用氟化銨緩沖的稀氫氟酸。為了保持pH值穩(wěn)定，可以加入少量的強酸或其他元素。摻雜的氧化硅比純氧化硅更容易腐蝕。濕法化學(xué)剝離(WetRemoval）主要是為了去除光刻膠和硬掩模（氮化硅）。熱磷酸（H3PO4）是濕法化學(xué)剝離去除氮化硅的主要化學(xué)液，對于氧化硅有較好的選擇比。在進行這類化學(xué)剝離工藝前，需要將附在表面的氧化硅用HF酸進行預(yù)處理，以便將氮化硅均勻地消除掉。精確控制光刻環(huán)境是確保產(chǎn)品一致性的關(guān)鍵。四川光刻廠商
光刻技術(shù)不斷迭代，以滿足高性能計算需求。北京光刻加工平臺
光刻機被稱作“現(xiàn)代光學(xué)工業(yè)之花”，生產(chǎn)制造全過程極為繁雜，一臺光刻機的零配件就達到10萬個。ASML光刻機也不是荷蘭以一國之力造出的，ASML公司的光刻機采用了美國光源設(shè)備及技術(shù)工藝，也選用了德國卡爾蔡司的光學(xué)鏡頭先進設(shè)備，絕大多數(shù)零部件都需用從海外進口，匯聚了全世界科技強國的科技，才可以制作出一臺光刻機。上海微電子占有著中國80%之上的市場占有率，現(xiàn)階段中國銷售市場上絕大多數(shù)智能機都采用了上海微電子的現(xiàn)代化封裝光刻機技術(shù)，而先前這種光刻機都在進口?，F(xiàn)階段，國產(chǎn)光刻機的困難關(guān)鍵在于沒法生產(chǎn)制造高精密的零配件，ASML的零配件來源于美國、德國、日本等發(fā)達國家，而現(xiàn)階段在我國還無法掌握這種技術(shù)，也很難買到。現(xiàn)階段，上海微電子能夠生產(chǎn)加工90nm的光刻機，而ASML能夠生產(chǎn)制造7nm乃至5nm的EUV光刻機，相差還是非常大。北京光刻加工平臺
