通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力，在多層膜結(jié)構中可能同時存在多種形式的應力。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等。PVD鍍膜（離子鍍膜）技術的主要特點和優(yōu)勢—和真空蒸發(fā)鍍膜真空濺射鍍膜相比較，PVD離子鍍膜具有如下優(yōu)點：膜層與工件表面的結(jié)合力強，更加持久和耐磨、離子的繞射性能好，能夠鍍形狀復雜的工件、膜層沉積速率快，生產(chǎn)效率高、可鍍膜層種類廣、膜層性能穩(wěn)定、安全性高。鍍膜層能有效提升產(chǎn)品的化學穩(wěn)定性。江門UV光固化真空鍍膜
LPCVD設備中常用的是水平式LPCVD設備，因為其具有結(jié)構簡單、操作方便、沉積速率高、產(chǎn)能大等優(yōu)點。水平式LPCVD設備可以根據(jù)不同的加熱方式進行分類。常見的分類有以下幾種：（1）電阻絲加熱式LPCVD設備，是指使用電阻絲作為加熱元件，將電阻絲纏繞在反應室外壁或內(nèi)壁上，通過電流加熱反應室和襯底；（2）鹵素燈加熱式LPCVD設備，是指使用鹵素燈作為加熱元件，將鹵素燈安裝在反應室外壁或內(nèi)壁上，通過輻射加熱反應室和襯底；（3）感應加熱式LPCVD設備，是指使用感應線圈作為加熱元件，將感應線圈圍繞在反應室外壁或內(nèi)壁上，通過電磁感應加熱反應室和襯底。沈陽新型真空鍍膜真空鍍膜在電子產(chǎn)品中不可或缺。
PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。
磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料，適用性廣，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料沉積源是真空鍍膜技術中另一個必不可少的設備。襯底支架是用于在沉積過程中將襯底固定到位的裝置?；逯Ъ芸梢杂胁煌呐渲?，例如行星式、旋轉(zhuǎn)式或線性平移，具體取決于應用要求。沉積源的選擇取決于涂層應用的具體要求，例如涂層材料、沉積速率和涂層質(zhì)量。真空鍍膜在太陽能領域有普遍應用。
LPCVD設備的基本原理是利用化學氣相沉積（CVD）的方法，在低壓（通常為0.1-10Torr）和高溫（通常為500-1200℃）的條件下，將含有所需元素的氣體前驅(qū)體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應，形成所需的薄膜材料。LPCVD設備的優(yōu)點主要有以下幾點：（1）由于低壓條件下氣體分子的平均自由程較長，使得氣體在反應室內(nèi)的分布更加均勻，從而提高了薄膜的均勻性和重復性；（2）低壓條件下氣體分子與襯底表面的碰撞頻率較低，使得反應速率主要受表面反應速率控制，從而提高了薄膜的純度和結(jié)晶性；（3）低壓條件下氣體分子與反應室壁面的碰撞頻率較低，使得反應室壁面上沉積的材料較少，從而降低了顆粒污染和清洗頻率；鍍膜技術可用于改善材料的摩擦性能。韶關真空鍍膜工藝
鍍膜層能明顯提升產(chǎn)品的耐磨性。江門UV光固化真空鍍膜
LPCVD技術是一種在低壓下進行化學氣相沉積的技術，它有以下幾個優(yōu)點高質(zhì)量：LPCVD技術可以在低壓下進行高溫沉積，使得氣相前驅(qū)體與襯底表面發(fā)生充分且均勻的化學反應，形成高純度、低缺陷密度、低氫含量、低應力等特點的薄膜材料。高均勻性：LPCVD技術可以在低壓下進行大面積沉積，使得氣相前驅(qū)體在襯底表面上有較長的停留時間和較大的擴散距離，形成高均勻性和高一致性的薄膜材料。高精度：LPCVD技術可以通過調(diào)節(jié)壓力、溫度、氣體流量和時間等參數(shù)來控制沉積速率和厚度，形成高精度和可重復性的薄膜材料。高效率：LPCVD技術可以采用批量裝載和連續(xù)送氣的方式來進行沉積。江門UV光固化真空鍍膜
