直銷傳感器線圈分類

結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。關(guān)于傳感器線圈的商家有哪些？直銷傳感器線圈分類

發(fā)射/接收電路102和接收線圈104之間的金屬跡線的連接以及發(fā)射/接收電路102和發(fā)射線圈106之間的金屬跡線的連接，其也對所生成的電磁場有貢獻；金屬目標124與安裝有接收線圈104和發(fā)射線圈106的pcb之間的氣隙(ag)；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110之間的幅度偏差；來自正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的接收信號之間的失配；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110中的不同的耦合效應(yīng)。此外，金屬目標124和pcb之間的氣隙(ag)與位置確定的準確性之間存在很強的相關(guān)性。此外，在理想情況下，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的拓撲是理想的三角函數(shù)，但是在實際設(shè)計中，這些線圈104不是理想的，并且具有若干個通孔，以允許通過使用pcb的兩面將跡線互相盤繞在pcb上。圖3a示出被定向在pcb(為清楚起見，圖3a中未示出)上的正弦定向線圈112。pcb被定位為使得形成正弦定向線圈112的跡線被定位在pcb的頂側(cè)和底側(cè)。在本公開中，對pcb的頂側(cè)或底側(cè)的引用指示pcb的相對側(cè)，并且關(guān)于pcb的定向沒有其他含義。通常，位置定位系統(tǒng)被定位成使得pcb的頂側(cè)面向金屬目標124的表面。圖3b示出pcb322的頂側(cè)，在頂側(cè)上形成用于形成發(fā)射線圈106、正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的頂側(cè)跡線。比例傳感器線圈**知識傳感器線圈的響應(yīng)時間對快速測量非常重要。

電渦流式傳感器，將位移、厚度、材料損傷等非電量轉(zhuǎn)換為電阻抗的變化（或電感、Q值的變化），從而進行非電量的測量。一、工作原理電渦流式傳感器由傳感器激勵線圈和被測金屬體組成。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當傳感器激勵線圈中通過以正弦交變電流時，線圈周圍將產(chǎn)生正選交變磁場，是位于蓋磁場中的金屬導體產(chǎn)生感應(yīng)電流，該感應(yīng)電流又產(chǎn)生新的交變磁場。新的交變磁場阻礙原磁場的變化，使得傳感器線圈的等效阻抗發(fā)生變化。傳感器線圈受電渦流影響時的等效阻抗Z為式中，ρ為被測體的電阻率；μ為被測體的磁導率；r為線圈與被測體的尺寸因子；f為線圈中激磁電流的頻率；x為線圈與導體間的距離。由此可見，線圈阻抗的變化完全取決于被測金屬的電渦流效應(yīng)，分別與以上因素有關(guān)。如果只改變式中的一個參數(shù)，保持其他參數(shù)不變，傳感器線圈的阻抗Z就只與該參數(shù)有關(guān)，如果測出傳感器線圈阻抗的變化，就可以確定該參數(shù)。在實際應(yīng)用中，通常是改變線圈與導體間的距離x，而保持其他參數(shù)不變，來實現(xiàn)位移和距離測量。二、等效電路討論電渦流式傳感器時。

仿真當前線圈設(shè)計的接收線圈的響應(yīng)。根據(jù)接收線圈響應(yīng)，將根據(jù)接收線圈響應(yīng)計算出的金屬目標的位置與仿真過程中設(shè)定的金屬目標的位置進行比較。在步驟706中，將仿真的位置與金屬目標的設(shè)定位置進行比較。在步驟708中，如果滿足規(guī)范，則算法700進行到步驟710，在步驟710處輸出終的優(yōu)化線圈設(shè)計。在步驟708中，如果不滿足規(guī)范，則算法700進行到步驟712。在步驟712中，根據(jù)來自步驟704的仿真結(jié)果和步驟706中的比較來調(diào)整pcb上的線圈的設(shè)計，以提高終設(shè)計的線圈設(shè)計的準確性。在一些實施例中，發(fā)射器線圈設(shè)計保持固定，作為步驟702中的輸入，并且調(diào)整線圈設(shè)計和布局以提高準確性。在一些實施例中，還可以調(diào)整發(fā)射器線圈以提高準確性。圖7a中所示的算法700得到線圈設(shè)計，該線圈設(shè)計用于印刷在具有在步驟702中出現(xiàn)的規(guī)范輸入期間所指定的仿真準確性的印刷電路板上。圖7b示出用于驗證線圈設(shè)計的算法720，該線圈設(shè)計可以是由圖7a中的算法700產(chǎn)生的線圈設(shè)計。如圖7b所示，在步驟722中輸入線圈設(shè)計。線圈設(shè)計可以是較舊的傳統(tǒng)設(shè)計，可以是新設(shè)計，或者可以是由如圖7a所示的算法700產(chǎn)生的。在步驟724，對線圈設(shè)計執(zhí)行仿真。在線圈設(shè)計輸入是由算法700產(chǎn)生的一些情況下。傳感器線圈的安裝位置對測量精度至關(guān)重要。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實踐一些實施例。本文公開的具體實施例意在是說明性的而不是限制性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認識到盡管在此未具體描述但是在本公開的范圍和精神之內(nèi)的其他元素。說明創(chuàng)造性的方面和實施例的描述不應(yīng)被理解為進行限制，而是由權(quán)利要求定義所保護的發(fā)明。在不脫離本說明和權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以進行各種改變。在一些實例中，為了不使本發(fā)明變得模糊，沒有詳細地示出或描述已知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)。圖1a示出定位系統(tǒng)100。如圖1a所示，該定位系統(tǒng)包括發(fā)射/接收控制電路102，該發(fā)射/接收控制電路102被耦合，以驅(qū)動發(fā)射器線圈106和從接收線圈104接收信號。在大多數(shù)配置中，接收線圈104位于發(fā)射器線圈106之內(nèi)，但是在圖1a中，為了清楚起見，它們被分開示出。接收線圈104通常物理上位于發(fā)射線圈106的邊界內(nèi)。本發(fā)明的實施例可以包括發(fā)射器線圈106、兩個線圈104、以及驅(qū)動發(fā)射器線圈106和測量源自線圈104中的信號的集成電路(ic)102，它們?nèi)慷夹纬稍谟∷㈦娐钒?pcb)上。圖1b示出線性位置定位系統(tǒng)中的發(fā)射線圈106和接收線圈104的配置。如圖1b所示。耐磨傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。什么是傳感器線圈資料

傳感器線圈的線圈在高頻應(yīng)用中可能會產(chǎn)生較大的熱量。直銷傳感器線圈分類

可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此，存在一些模型簡化，這盡管基本上不影響仿真的準確性，但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和線圈的導電跡線。在與一維導線模型偏離嚴重的情況下，考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對于上述基準矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導線1020生成的場。如果在兩個結(jié)構(gòu)中流動的電流相同，則由導線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而，圖10c示出在基準跡線1022周圍生成的場，基準跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場看起來也與圖10b中的由導線1020所生成的場相同。直銷傳感器線圈分類