性能優(yōu)良傳感器線圈芯

將位置設(shè)置為掃描中的當(dāng)前定義的位置。在步驟1006中，確定由發(fā)射線圈生成的電磁場(chǎng)。利用在步驟1002中提供的其他參數(shù)來接收發(fā)射線圈的驅(qū)動(dòng)電壓和操作頻率。一旦確定了來自發(fā)射線圈的電磁場(chǎng)，在步驟1008中就可以確定由于這些場(chǎng)而在金屬目標(biāo)中生成的渦電流。根據(jù)渦電流，可以仿真由目標(biāo)生成的磁場(chǎng)。在步驟1010中，確定由于由發(fā)射線圈生成的場(chǎng)和由金屬目標(biāo)中的感應(yīng)渦電流生成的場(chǎng)的組合而在線圈中生成的電壓。在步驟1011中，針對(duì)目標(biāo)的現(xiàn)行位置再次執(zhí)行電感l(wèi)的計(jì)算，以評(píng)估l相對(duì)于步驟1003的結(jié)果的變化。在步驟1012中，存儲(chǔ)響應(yīng)數(shù)據(jù)以供將來參考。在步驟1014中，算法704進(jìn)行檢查以查看掃描是否已經(jīng)完成。如果未完成，則算法704進(jìn)行到步驟1018，在步驟1018處，金屬目標(biāo)的當(dāng)前位置遞增，然后進(jìn)行到步驟1004，在步驟1004處開始對(duì)該位置的仿真。如果掃描完成，則算法704進(jìn)行到步驟1016，在步驟1016處，仿真結(jié)束，并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據(jù)仿真對(duì)線圈的重新配置(在圖7a中，仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設(shè)計(jì)調(diào)整步驟712)應(yīng)足夠快，以在短時(shí)間段內(nèi)測(cè)試大量的線圈設(shè)計(jì)配置。在通過算法700獲得經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)之前?？梢陨a(chǎn)傳感器線圈的廠家有哪些？性能優(yōu)良傳感器線圈芯

與線圈設(shè)計(jì)800所示的線性位置系統(tǒng)不同，圖9a、圖9b和圖9c所示的線圈設(shè)計(jì)900示出旋轉(zhuǎn)位置系統(tǒng)。如線圈設(shè)計(jì)900中所示，發(fā)射線圈902、余弦定向接收線圈904和正弦定向線圈906以圓形方式定向。此外，發(fā)射線圈902包括具有引線920的變形部分916。正弦定向線圈906包括阱908和阱912，并且被連接到引線924。類似地，余弦定向線圈904包括阱910和阱914，并且被耦合到引線926。pcb還可以具有安裝孔918。圖9a示出線圈設(shè)計(jì)900的平面圖，而圖9b示出線圈設(shè)計(jì)900的斜視圖，其示出在其上形成線圈設(shè)計(jì)900的pcb板的兩側(cè)上的通孔和跡線。圖9c示出印刷電路板930上的線圈設(shè)計(jì)900的平面圖。此外，被耦合到引線920、引線924和引線926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類似于在定位系統(tǒng)400中使用的實(shí)際位置的實(shí)際位置與在例如算法700的步驟704中通過使用rx電壓通過仿真重構(gòu)的位置之間的百分比誤差。如圖9d所示，在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)900之后，理論結(jié)果與仿真結(jié)果之間的百分比誤差小于％。圖9e示出在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)900之后的實(shí)際角位置和仿真角位置。圖6也示出在已經(jīng)應(yīng)用線性化算法之后經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)900的全標(biāo)度誤差的百分比。在該標(biāo)度下，誤差小于％fs。直銷傳感器線圈口碑推薦傳感器線圈的電磁場(chǎng)分布對(duì)其測(cè)量精度有影響。

如下面更詳細(xì)地討論的，在一些實(shí)施例中，形成發(fā)射線圈、線圈和連接線的跡線用一維金屬導(dǎo)線表示。一些實(shí)施例可以使用更精細(xì)的仿真算法，例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法，其可以提供對(duì)由實(shí)際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)進(jìn)行估計(jì)的進(jìn)一步的提高。金屬目標(biāo)通?？梢杂蓪?dǎo)電表面表示。如圖10a所示，算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中，獲得描述tx線圈和rx線圈、目標(biāo)的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設(shè)計(jì)。這些輸入?yún)?shù)例如可以由算法700提供，要么在算法700的輸入步驟702期間通過初始輸入，要么從來自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設(shè)計(jì)來提供，如圖7a所示。算法704然后進(jìn)行到步驟1003。在步驟1003中，算法704以在步驟1002中設(shè)置的頻率參數(shù)計(jì)算發(fā)射線圈(tx)的跡線的電阻r和電感l(wèi)。在不存在目標(biāo)的情況下執(zhí)行計(jì)算，以給出品質(zhì)因數(shù)的估計(jì)q＝2πfl/r。在步驟1004中，設(shè)置參數(shù)以仿真特定線圈設(shè)計(jì)的性能和在步驟1002中接收的線圈設(shè)計(jì)的氣隙，其中金屬目標(biāo)如在掃描參數(shù)中定義的被設(shè)置在現(xiàn)行位置。如果這是次迭代，則將現(xiàn)行位置設(shè)置為在步驟1002中接收到的數(shù)據(jù)中所定義的掃描的起點(diǎn)。否則。

圖10f示出正在算法704中進(jìn)行仿真的位置定位系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的線圈1028和線圈1026上方的金屬目標(biāo)1204的定位。為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計(jì)800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對(duì)應(yīng)。為了簡(jiǎn)化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場(chǎng)之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測(cè)量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場(chǎng)的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。如果不是這種情況，則可以使用類似于以下中提供的計(jì)算上代價(jià)更高的體積積分公式或有限元建模來對(duì)目標(biāo)進(jìn)行建模：bettini，m.、passarotto，艮、specogna。傳感器線圈型號(hào)，無錫東英電子有限公司。

對(duì)處在這個(gè)電磁場(chǎng)范圍的其他導(dǎo)線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號(hào)通過電感線圈時(shí)會(huì)遇到很大的阻力，很難通過；而對(duì)低頻信號(hào)通過它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號(hào)可以較容易的通過它。電感線圈對(duì)直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對(duì)于電路中電信號(hào)的流動(dòng)都會(huì)呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對(duì)電流信號(hào)所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時(shí)我們把它簡(jiǎn)稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時(shí)，所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。無錫市制作傳感器線圈的地方；單向傳感器線圈資料

傳感器線圈的連接方式應(yīng)確保信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。性能優(yōu)良傳感器線圈芯

二)磁場(chǎng)的強(qiáng)度在近房間中心的磁場(chǎng)強(qiáng)度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC60118—4，BS7594)指出：一個(gè)磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率值應(yīng)為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi)，距離地板1．2米時(shí)測(cè)得的磁場(chǎng)垂直面上的強(qiáng)度。允許在言語(yǔ)中出現(xiàn)達(dá)到400mA/m的強(qiáng)度峰值、頻率范圍應(yīng)當(dāng)覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周圍繞的回路其磁場(chǎng)強(qiáng)度可以用下式計(jì)算：H是磁場(chǎng)的強(qiáng)度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對(duì)一個(gè)正方形的回路，大小用a米表示，其磁場(chǎng)強(qiáng)度要比計(jì)算的值少10%。如果磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率強(qiáng)度要達(dá)到100mA/m，則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，這樣可以避免在更大強(qiáng)度的言語(yǔ)聲音中產(chǎn)生過多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到，感應(yīng)回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場(chǎng)的的一條電線，所有建筑中的電線都會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，因此，助聽器不僅能收到語(yǔ)音信號(hào)，也可以接收到其他磁場(chǎng)信號(hào)，如50Hz的電源電壓信號(hào)等。在布線的時(shí)候要充分考慮到干擾源的問題。如果音頻磁場(chǎng)太弱，信噪比就不夠大。提高信號(hào)發(fā)射功率，可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。性能優(yōu)良傳感器線圈芯