高速傳感器線圈對(duì)比價(jià)

如前所述，氣隙是金屬目標(biāo)408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準(zhǔn)、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標(biāo)408的掃描。如圖4c所示，金屬目標(biāo)408在線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當(dāng)如圖4c所示地掃描金屬目標(biāo)408時(shí)從線圈104測(cè)量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標(biāo)408在50個(gè)位置被掃描。十字表示樣本電壓，實(shí)線表示由電磁場(chǎng)求解程序cdice-bim所仿真的值。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的光臨！高速傳感器線圈對(duì)比價(jià)

此處提供的電壓描述是成比例的，并且被描述為完整環(huán)路(環(huán)路120、環(huán)路122和環(huán)路116)的比例可以具有大表示1，而環(huán)路114和環(huán)路118可以具有大表示1/2。符號(hào)環(huán)路的參考方向，其導(dǎo)致從該環(huán)路生成電壓。參考方向是任意的，并且無論選擇兩個(gè)可能的方向中的哪一個(gè)方向來表示正方向，都可以計(jì)算出一致的結(jié)果。然而，在金屬目標(biāo)124被放置在0°位置的情況下，正弦定向線圈112的環(huán)路114中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中生成的渦電流抵消，使得vc＝0。在正弦定向線圈112的環(huán)路116中，環(huán)路116在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中形成的渦電流抵消，但是環(huán)路116不在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108生成電壓。由于環(huán)路116的一半被暴露，因此生成的電壓為vd＝-1/2。此外，在正弦定向線圈112的環(huán)路118中生成電壓，使得ve為1/2。然而，由環(huán)路116生成的電壓被在環(huán)路118中生成的電壓抵消，導(dǎo)致正弦定向環(huán)路112兩端的電壓信號(hào)為0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金屬目標(biāo)124相對(duì)于余弦定向線圈110的相同定向下，環(huán)路120被金屬目標(biāo)124覆蓋，使得va＝0。環(huán)路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向線圈110兩端的電壓vcos由va+vb＝1給出。尼龍傳感器線圈共同合作傳感器線圈的線圈設(shè)計(jì)需要考慮其工作環(huán)境。

如圖3a所示，線圈112由pcb322的頂側(cè)上的跡線302和pcb322的底側(cè)上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過穿過pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示，通孔306、頂側(cè)跡線302和底側(cè)跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如，部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118，同時(shí)在相交處將跡線分離。如進(jìn)一步示出的，部分314、部分316、部分318和部分320允許余弦定向線圈112覆蓋在pcb上。然而，通孔306和pcb322的相對(duì)的兩側(cè)上的跡線302和跡線304的存在降低了由線圈104檢測(cè)到的信號(hào)的有效幅度。有效地，通孔306在發(fā)射線圈106和信號(hào)線圈104之間形成間隙距離，這本身對(duì)位置定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性有很大的影響。這還與以下相結(jié)合：由于在pcb322的頂側(cè)和底側(cè)上都形成了信號(hào)線圈104的跡線，而導(dǎo)致的金屬目標(biāo)124和pcb322上的信號(hào)線圈104之間的有效氣隙的增加。圖3b示出另一個(gè)關(guān)于對(duì)稱性的問題，其中，發(fā)射線圈106與接收線圈104是不對(duì)稱的。在圖3b所示的情況下，接收線圈104不以發(fā)射線圈106為中心，并且形成與接收線圈104和發(fā)射線圈106的連接的跡線也不對(duì)稱。圖3c示出由發(fā)射線圈106生成的磁場(chǎng)強(qiáng)度的不均勻性。如圖3c所示。

與線圈設(shè)計(jì)800所示的線性位置系統(tǒng)不同，圖9a、圖9b和圖9c所示的線圈設(shè)計(jì)900示出旋轉(zhuǎn)位置系統(tǒng)。如線圈設(shè)計(jì)900中所示，發(fā)射線圈902、余弦定向接收線圈904和正弦定向線圈906以圓形方式定向。此外，發(fā)射線圈902包括具有引線920的變形部分916。正弦定向線圈906包括阱908和阱912，并且被連接到引線924。類似地，余弦定向線圈904包括阱910和阱914，并且被耦合到引線926。pcb還可以具有安裝孔918。圖9a示出線圈設(shè)計(jì)900的平面圖，而圖9b示出線圈設(shè)計(jì)900的斜視圖，其示出在其上形成線圈設(shè)計(jì)900的pcb板的兩側(cè)上的通孔和跡線。圖9c示出印刷電路板930上的線圈設(shè)計(jì)900的平面圖。此外，被耦合到引線920、引線924和引線926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類似于在定位系統(tǒng)400中使用的實(shí)際位置的實(shí)際位置與在例如算法700的步驟704中通過使用rx電壓通過仿真重構(gòu)的位置之間的百分比誤差。如圖9d所示，在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)900之后，理論結(jié)果與仿真結(jié)果之間的百分比誤差小于％。圖9e示出在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)900之后的實(shí)際角位置和仿真角位置。圖6也示出在已經(jīng)應(yīng)用線性化算法之后經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)900的全標(biāo)度誤差的百分比。在該標(biāo)度下，誤差小于％fs。傳感器線圈的防護(hù)等級(jí)需要根據(jù)使用環(huán)境選擇。

該仿真已在算法700的步驟704中執(zhí)行。否則，執(zhí)行類似的仿真。在步驟726中，在印刷電路板上物理地產(chǎn)生線圈設(shè)計(jì)。在步驟728中，例如利用如圖4a和圖4b所示的定位系統(tǒng)400來測(cè)量物理地產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)響應(yīng)。在步驟730中，將來自物理地產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)的測(cè)量結(jié)果與來自線圈設(shè)計(jì)的仿真結(jié)果進(jìn)行比較。然后，步驟730可以針對(duì)其準(zhǔn)確性驗(yàn)證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測(cè)量結(jié)果匹配，則算法720進(jìn)行到步驟734，在此線圈設(shè)計(jì)已經(jīng)被驗(yàn)證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測(cè)量結(jié)果不匹配，則算法720進(jìn)行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對(duì)由算法700所產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)的驗(yàn)證，則修改算法700的輸入設(shè)計(jì)，并返回算法700。在一些實(shí)施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯(cuò)誤，指示仿真未正確地運(yùn)行，因此仿真自身需要進(jìn)行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準(zhǔn)算法。因此，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過迭代地提供當(dāng)前線圈設(shè)計(jì)的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設(shè)計(jì)，直到線圈設(shè)計(jì)滿足期望的規(guī)范為止，來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測(cè)試經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！直銷傳感器線圈原理

傳感器線圈的壽命取決于其材料和使用環(huán)境。高速傳感器線圈對(duì)比價(jià)

可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此，存在一些模型簡(jiǎn)化，這盡管基本上不影響仿真的準(zhǔn)確性，但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個(gè)小時(shí)來完成。在一些實(shí)施例中使用的有效簡(jiǎn)化是用一維導(dǎo)線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和線圈的導(dǎo)電跡線。在與一維導(dǎo)線模型偏離嚴(yán)重的情況下，考慮一個(gè)具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導(dǎo)電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對(duì)于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動(dòng)的電流的電流密度可以是非常均勻的。對(duì)于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對(duì)于上述基準(zhǔn)矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導(dǎo)線1020生成的場(chǎng)。如果在兩個(gè)結(jié)構(gòu)中流動(dòng)的電流相同，則由導(dǎo)線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場(chǎng)沒有差異。然而，圖10c示出在基準(zhǔn)跡線1022周圍生成的場(chǎng)，基準(zhǔn)跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場(chǎng)看起來也與圖10b中的由導(dǎo)線1020所生成的場(chǎng)相同。高速傳感器線圈對(duì)比價(jià)