高溫傳感器線圈廠家

發(fā)射線圈106的兩條跡線位于圖上的位置0和位置5處，而接收線圈104被定位在位置0和位置5之間。圖3c示出這些跡線之間的磁場在兩條跡線之間具有小值。圖3c沒有示出由于連接圖3c中所示的兩條跡線并且垂直于圖3c中所示的跡線的兩條跡線而引起的另外的變形(distortion)。圖3d和圖3e還示出可能由發(fā)射線圈106中的位移引起的不準(zhǔn)確性。如圖3d和圖3e所示，發(fā)射線圈106包括位移330，該位移使發(fā)射線圈106產(chǎn)生的磁場變形。來自位移330的雜散場在接收線圈104中產(chǎn)生不平衡。因此，將由于這些特征而產(chǎn)生位置確定的不準(zhǔn)確性。圖4a和圖4b示出可用于評估位置定位系統(tǒng)的校準(zhǔn)和測試設(shè)備400。由于諸如上文所述的那些之類的磁耦合原理的不理想性，可以使用校準(zhǔn)過程來校正目標(biāo)相對于定位設(shè)備的測量位置。此外，系統(tǒng)400可用于測試諸如上文所述的那些之類的定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性。圖4a示出示例系統(tǒng)400的框圖。如圖4a所示，金屬目標(biāo)408被安裝在平臺406上，使得在位置定位系統(tǒng)410上方。定位器404能夠以精確的方式相對于位置定位系統(tǒng)410移動平臺406。如上所述，位置定位系統(tǒng)410包括形成在pcb上的發(fā)射線圈和接收線圈，并且可以包括控制器402，控制器402從接收線圈接收信號并處理該信號并驅(qū)動發(fā)射線圈。傳感器線圈的線圈材料通常為銅或銀，以提高導(dǎo)電性。高溫傳感器線圈廠家

傳感器實際上是一種功能塊，其作用是將來自外界的各種信號轉(zhuǎn)換成電信號。為了對各種各樣的信號進行檢測、控制，就必須獲得盡量簡單易于處理的信號，這樣的要求只有電信號能夠滿足。電信號能較容易地進行放大、反饋、濾波、微分、存貯、遠距離操作等。現(xiàn)代傳感器制造業(yè)的進展取決于用于傳感器技術(shù)的新材料和敏感元件的開發(fā)強度。傳感器開發(fā)的基本趨勢是和半導(dǎo)體以及介質(zhì)材料的應(yīng)用密切關(guān)聯(lián)的。隨著智能時代逐漸到來，傳感器變得更加不可替代。微型化、數(shù)字化、智能化的傳感器迅速地被普及，進而改變我們的生活方式。近期，儀器儀表市場涌現(xiàn)出不少先進的傳感器設(shè)備，刷新著市場應(yīng)用體系。廣東傳感器線圈現(xiàn)貨無錫市制作傳感器線圈的地方；

如圖4a進一步示出的，金屬目標(biāo)408沿z方向定位，以在金屬目標(biāo)408與位置定位系統(tǒng)410之間提供氣隙(ag)。在一些實施例中，定位器404能夠如在坐標(biāo)系420中所示的在x-y平面中線性地移動金屬目標(biāo)408。在一些實施例中，定位器404根據(jù)需要在位置定位器系統(tǒng)410上方圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)金屬目標(biāo)408，例如，用于測試旋轉(zhuǎn)定位器而不是線性定位器?？刂破?02被耦合以提供控制信號并從定位器404接收接收線圈信號?？刂破?02還被耦合以將發(fā)射功率提供給在定位系統(tǒng)410上的發(fā)射線圈，并接收和處理來自定位系統(tǒng)410中的接收線圈的信號。如上所述，位置定位系統(tǒng)410可以包括如上所述的發(fā)射線圈106、余弦定向線圈110和正弦定向線圈112。在一些情況下，控制器402可以與定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈106、余弦定向線圈110和正弦定向線圈112安裝在同一pcb上，并將定位信號提供給分離的處理器422。處理器422可以是能夠?qū)⒖刂破?02和定位器404接合的任何處理系統(tǒng)。這樣，處理器422可以包括一個或多個微型計算機、暫時性和非暫時性存儲器以及接口。處理器404與定位器進行通信，以確定金屬目標(biāo)408相對于位置定位系統(tǒng)410的精確位置，并且向定位器404提供信號。

為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。原裝傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標(biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。傳感器線圈效果，無錫東英電子有限公司。性能優(yōu)良傳感器線圈

傳感器線圈的線材選擇對其長期穩(wěn)定性至關(guān)重要。高溫傳感器線圈廠家

與線圈設(shè)計800所示的線性位置系統(tǒng)不同，圖9a、圖9b和圖9c所示的線圈設(shè)計900示出旋轉(zhuǎn)位置系統(tǒng)。如線圈設(shè)計900中所示，發(fā)射線圈902、余弦定向接收線圈904和正弦定向線圈906以圓形方式定向。此外，發(fā)射線圈902包括具有引線920的變形部分916。正弦定向線圈906包括阱908和阱912，并且被連接到引線924。類似地，余弦定向線圈904包括阱910和阱914，并且被耦合到引線926。pcb還可以具有安裝孔918。圖9a示出線圈設(shè)計900的平面圖，而圖9b示出線圈設(shè)計900的斜視圖，其示出在其上形成線圈設(shè)計900的pcb板的兩側(cè)上的通孔和跡線。圖9c示出印刷電路板930上的線圈設(shè)計900的平面圖。此外，被耦合到引線920、引線924和引線926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類似于在定位系統(tǒng)400中使用的實際位置的實際位置與在例如算法700的步驟704中通過使用rx電壓通過仿真重構(gòu)的位置之間的百分比誤差。如圖9d所示，在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計900之后，理論結(jié)果與仿真結(jié)果之間的百分比誤差小于％。圖9e示出在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計900之后的實際角位置和仿真角位置。圖6也示出在已經(jīng)應(yīng)用線性化算法之后經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計900的全標(biāo)度誤差的百分比。在該標(biāo)度下，誤差小于％fs。高溫傳感器線圈廠家