江西傳感器線圈服務(wù)至上

圖4d示出利用圖4b所示的測試設(shè)備測量的來自位置定位系統(tǒng)中的接收線圈的接收電壓。圖5示出測量到的響應(yīng)和仿真響應(yīng)。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實施例優(yōu)化的示例線圈設(shè)計的測量到的響應(yīng)與仿真響應(yīng)之間的誤差。圖7a和圖7b示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于優(yōu)化位置定位傳感器的線圈設(shè)計的算法。圖7c示出操作圖7a所示的算法的系統(tǒng)的輸入屏幕快照。圖8a和圖8b示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的線圈設(shè)計。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的另一個示例線圈設(shè)計。圖9d和圖9e示出根據(jù)一些實施例的線圈設(shè)計的性能特性。圖10a示出根據(jù)一些實施例的仿真算法。圖10b和圖10c示出在導線周圍生成的場和在矩形跡線周圍生成的場。圖10d和圖10e示出通過將矩形跡線視為一維導線、多導線或3d塊狀件(brick)而生成的誤差。圖10f示出在線圈上方的金屬目標中的渦電流的仿真。圖11示出根據(jù)一些實施例的用于調(diào)整線圈設(shè)計的算法。圖12示出根據(jù)一些實施例的用于調(diào)整線圈設(shè)計的算法的另一個實施例。圖13示出優(yōu)化無阱(well)設(shè)計。圖14示出經(jīng)優(yōu)化的有阱設(shè)計。下文進一步討論本發(fā)明的實施例的這些和其他方面。具體實施方式在下文的描述中，闡述了描述本發(fā)明的一些實施例的具體細節(jié)。然而。關(guān)于傳感器線圈的定義是什么？江西傳感器線圈服務(wù)至上

使得用于發(fā)射線圈802的跡線中的一些跡線在pcb的一側(cè)上，而發(fā)射線圈802的其他跡線在pcb的相反側(cè)上。在一些情況下，可以優(yōu)化發(fā)射線圈以使其相對于接收線圈盡可能對稱，同時小化所需空間。圖8a示出通孔814和通孔816，它們允許將發(fā)射線圈802的跡線連接在pcb的側(cè)面之間。如圖8a和圖8b進一步所示，接收線圈包括余弦定向線圈804和正弦定向線圈806。余弦定向線圈804包括通孔818，其允許余弦定向線圈804的導線跡線從pcb的一側(cè)過渡到另一側(cè)。類似地，正弦定向線圈806包括通孔820，其允許在pcb的側(cè)面之間過渡正弦定向線圈806的布線。線圈布局800中包括的另一個特征是阱808、810和812的增加，這些阱進一步補償由發(fā)射線圈802生成的場的不均勻性以及由該不均勻性生成的所得偏移誤差。如線圈設(shè)計800中所示，提供阱808和阱810來調(diào)整正弦定向線圈804，并設(shè)置阱812來調(diào)整余弦定向線圈806。此外，可以提供通孔822和通孔824，使得阱808和阱812的跡線可以分別在pcb的任一側(cè)上。阱808、阱810和阱812可以例如補償由于發(fā)射線圈802生成的場中的不均勻性而引起的接收線圈804和接收線圈806中的偏差。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的另一種線圈設(shè)計。山西傳感器線圈廠家供應(yīng)傳感器線圈的線圈在強磁場中可能會受到干擾。

二)磁場的強度在近房間中心的磁場強度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國際標準(IEC60118—4，BS7594)指出：一個磁場的長期平均輸出功率值應(yīng)為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi)，距離地板1．2米時測得的磁場垂直面上的強度。允許在言語中出現(xiàn)達到400mA/m的強度峰值、頻率范圍應(yīng)當覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周圍繞的回路其磁場強度可以用下式計算：H是磁場的強度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對一個正方形的回路，大小用a米表示，其磁場強度要比計算的值少10%。如果磁場的長期平均輸出功率強度要達到100mA/m，則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，這樣可以避免在更大強度的言語聲音中產(chǎn)生過多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到，感應(yīng)回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場的的一條電線，所有建筑中的電線都會產(chǎn)生磁場，因此，助聽器不僅能收到語音信號，也可以接收到其他磁場信號，如50Hz的電源電壓信號等。在布線的時候要充分考慮到干擾源的問題。如果音頻磁場太弱，信噪比就不夠大。提高信號發(fā)射功率，可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。

對產(chǎn)生電磁場的導線本身發(fā)生的作用，叫做“自感“，即導線自己產(chǎn)生的變化電流產(chǎn)生變化磁場，這個磁場又進一步影響了導線中的電流；對處在這個電磁場范圍的其他導線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號通過電感線圈時會遇到很大的阻力，很難通過；而對低頻信號通過它時所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過它。電感線圈對直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對于電路中電信號的流動都會呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對電流信號所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時我們把它簡稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時，所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。購買傳感器線圈需要注意什么？

步驟730可以針對其準確性驗證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測量結(jié)果匹配，則算法720進行到步驟734，在此線圈設(shè)計已經(jīng)被驗證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測量結(jié)果不匹配，則算法720進行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對由算法700所產(chǎn)生的線圈設(shè)計的驗證，則修改算法700的輸入設(shè)計，并返回算法700。在一些實施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯誤，指示仿真未正確地運行，因此仿真自身需要進行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準算法。因此，在本發(fā)明的一些實施例中，可以通過迭代地提供當前線圈設(shè)計的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設(shè)計，直到線圈設(shè)計滿足期望的規(guī)范為止，來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設(shè)計。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測試經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計，以確保仿真與物理測量的屬性相匹配。無論目標是優(yōu)化還是重新設(shè)計pcb上的舊線圈設(shè)計，或者無論目標是沒計還是優(yōu)化pcb上的新線圈設(shè)計，該過程都有助于優(yōu)化線圈設(shè)計。可以根據(jù)算法720驗證pcb上的現(xiàn)有線圈設(shè)計，并根據(jù)算法700進行潛在地改進該線圈設(shè)計。可以使用電子設(shè)計自動化(eda)或計算機輔助設(shè)計。傳感器線圈資料，無錫東英電子有限公司。河北傳感器線圈報價

傳感器線圈的線圈匝數(shù)越多，其電感量通常越大。江西傳感器線圈服務(wù)至上

rx線圈104以以下方式被設(shè)計：隨著在整個線圈104上掃描金屬目標124，在一個rx線圈(rxsin112)的端子處產(chǎn)生正弦電壓，在另一個rx線圈(rxcos110)的端子處產(chǎn)生余弦電壓。目標相對于rx線圈104的位置調(diào)制在rx線圈104的端子處的電壓的幅度和相位。如圖1a所示和上面討論的，發(fā)射器線圈106、接收線圈104和發(fā)射/接收電路102可以被安裝在單個pcb上。此外，pcb可以被定位成使得金屬目標124被定位在接收線圈104上方并且與接收線圈104間隔開特定間隔，即氣隙(ag)。金屬目標124相對于其上安裝接收線圈104和發(fā)射器線圈106的pcb的位置可以通過處理由正弦定向線圈112和余弦定向線圈110生成的信號來確定。下面，描述在理論上理想的條件下對金屬目標124相對于接收線圈104的位置的確定。在圖1b中，金屬目標124位于位置。在該示例中，圖1b和圖2a、圖2b和圖2c描繪線性位置定位器系統(tǒng)的操作。線性定位器和圓形定位器二者的操作原理相同。在下面的討論中，通過提供因線圈110和線圈112和金屬目標124的前緣的位置所引起的關(guān)于正弦定向線圈112的正弦操作的角度關(guān)系，給出關(guān)于余弦定向線圈110和正弦定向線圈112的構(gòu)造的位置。江西傳感器線圈服務(wù)至上