電子束曝光解決固態(tài)電池固固界面瓶頸，通過三維離子通道網(wǎng)絡(luò)增大電極接觸面積。梯度孔道結(jié)構(gòu)引導(dǎo)鋰離子均勻沉積，消除枝晶生長隱患。自愈合電解質(zhì)層修復(fù)循環(huán)裂縫，實(shí)現(xiàn)1000次充放電容量保持率＞95%。在電動(dòng)飛機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)中，能量密度達(dá)450Wh/kg，支持2000km不間斷飛行。電子束曝光賦能飛行器智能隱身，基于可編程超表面實(shí)現(xiàn)全向雷達(dá)波調(diào)控。動(dòng)態(tài)可調(diào)諧振單元實(shí)現(xiàn)GHz-KHz頻段自適應(yīng)隱身，雷達(dá)散射截面縮減千萬倍。機(jī)器學(xué)習(xí)算法在線優(yōu)化相位分布，在六代戰(zhàn)機(jī)測(cè)試中突防成功率提升83%。柔性基底集成技術(shù)使蒙皮厚度0.3mm，保持氣動(dòng)外形完整。電子束刻蝕推動(dòng)人工視覺芯片的光電轉(zhuǎn)換層高效融合。四川納米器件電子束曝光代工
電子束曝光解決微型燃料電池質(zhì)子傳導(dǎo)效率難題。石墨烯質(zhì)子交換膜表面設(shè)計(jì)螺旋微肋條通道，降低質(zhì)傳阻力同時(shí)增強(qiáng)水管理能力。納米錐陣列催化劑載體使鉑原子利用率達(dá)80%，較商業(yè)產(chǎn)品提升5倍。在5cm2微型電堆中實(shí)現(xiàn)2W/cm2功率密度，支持無人機(jī)持續(xù)飛行120分鐘。自呼吸雙極板結(jié)構(gòu)通過多孔層梯度設(shè)計(jì)，消除水淹與膜干問題，系統(tǒng)壽命超5000小時(shí)。電子束曝光推動(dòng)拓?fù)淞孔佑?jì)算邁入實(shí)用階段。在InAs納米線表面構(gòu)造馬約拉納零模定位陣列，超導(dǎo)鋁層覆蓋精度達(dá)單原子層。對(duì)稱性保護(hù)機(jī)制使量子比特退相干時(shí)間突破毫秒級(jí)，在5×5量子點(diǎn)陣列實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)容錯(cuò)邏輯門操作。該技術(shù)將加速拓?fù)淞孔佑?jì)算機(jī)工程化，為復(fù)雜分子模擬提供硬件平臺(tái)。黑龍江光掩模電子束曝光實(shí)驗(yàn)室電子束曝光在固態(tài)電池領(lǐng)域優(yōu)化電解質(zhì)/電極界面離子傳輸效率。
電子束曝光設(shè)備的運(yùn)行成本較高，團(tuán)隊(duì)通過優(yōu)化曝光區(qū)域選擇，對(duì)器件有效區(qū)域進(jìn)行曝光，減少無效曝光面積，降低了單位器件的制備成本。同時(shí)，通過設(shè)備維護(hù)與參數(shù)優(yōu)化，延長了關(guān)鍵部件的使用壽命，間接降低了設(shè)備運(yùn)行成本。這些成本控制措施使電子束曝光技術(shù)在中試生產(chǎn)中的經(jīng)濟(jì)性得到一定提升，更有利于其在產(chǎn)業(yè)中的推廣應(yīng)用。研究所將電子束曝光技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體量子點(diǎn)的定位制備中，探索其在量子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。量子點(diǎn)的精確位置控制對(duì)量子器件的性能至關(guān)重要，科研團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光在襯底上制備納米尺度的定位標(biāo)記，引導(dǎo)量子點(diǎn)的選擇性生長。
研究所將電子束曝光技術(shù)應(yīng)用于 IGZO 薄膜晶體管的溝道圖形制備中，探索其在新型顯示器件領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。IGZO 材料對(duì)曝光過程中的電子束損傷較為敏感，科研團(tuán)隊(duì)通過控制曝光劑量與掃描方式，減少電子束與材料的相互作用對(duì)薄膜性能的影響。利用器件測(cè)試平臺(tái)，對(duì)比不同曝光參數(shù)下晶體管的電學(xué)性能，發(fā)現(xiàn)優(yōu)化后的曝光工藝能使器件的開關(guān)比提升一定幅度，閾值電壓穩(wěn)定性也有所改善。這項(xiàng)應(yīng)用探索不僅拓展了電子束曝光的技術(shù)場(chǎng)景，也為新型顯示器件的高精度制備提供了技術(shù)支持。電子束曝光為新型光伏器件構(gòu)建高效陷光結(jié)構(gòu)以提升能源轉(zhuǎn)化效率。
圍繞電子束曝光在半導(dǎo)體激光器腔面結(jié)構(gòu)制備中的應(yīng)用，研究所進(jìn)行了專項(xiàng)攻關(guān)。激光器腔面的平整度與垂直度直接影響其出光效率與壽命，科研團(tuán)隊(duì)通過控制電子束曝光的劑量分布，在腔面區(qū)域制備高精度掩模，再結(jié)合干法刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)陡峭的腔面結(jié)構(gòu)。利用光學(xué)測(cè)試平臺(tái)，對(duì)比不同腔面結(jié)構(gòu)的激光器性能，發(fā)現(xiàn)優(yōu)化后的腔面使器件的閾值電流降低，斜率效率有所提升。這項(xiàng)研究充分發(fā)揮了電子束曝光的納米級(jí)加工優(yōu)勢(shì)，為高性能半導(dǎo)體激光器的制備提供了工藝支持，相關(guān)成果已應(yīng)用于多個(gè)研發(fā)項(xiàng)目。電子束曝光實(shí)現(xiàn)太赫茲波段的電磁隱身超材料智能設(shè)計(jì)制造。山東光芯片電子束曝光代工
電子束曝光實(shí)現(xiàn)核電池放射源超高安全性的空間封裝結(jié)構(gòu)。四川納米器件電子束曝光代工
對(duì)于可修復(fù)的微小缺陷，通過局部二次曝光的方式進(jìn)行修正，提高了圖形的合格率。在 6 英寸晶圓的中試實(shí)驗(yàn)中，這種缺陷修復(fù)技術(shù)使無效區(qū)域的比例降低了一定程度，提升了電子束曝光的材料利用率。研究所將電子束曝光技術(shù)與納米壓印模板制備相結(jié)合，探索低成本大規(guī)模制備微納結(jié)構(gòu)的途徑。納米壓印技術(shù)適合批量生產(chǎn)，但模板制備依賴高精度加工手段，團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光制備高質(zhì)量的原始模板，再通過電鑄工藝復(fù)制得到可用于批量壓印的工作模板。對(duì)比電子束直接曝光與納米壓印的圖形質(zhì)量，發(fā)現(xiàn)兩者在微米尺度下的精度差異較小，但壓印效率更高。這項(xiàng)研究為平衡高精度與高效率的微納制造需求提供了可行方案，有助于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。四川納米器件電子束曝光代工
