科研團(tuán)隊(duì)在電子束曝光的抗蝕劑選擇與處理工藝上進(jìn)行了細(xì)致研究。不同抗蝕劑對(duì)電子束的靈敏度與分辨率存在差異，團(tuán)隊(duì)針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的刻蝕需求，測(cè)試了多種正性與負(fù)性抗蝕劑的性能，篩選出適合氮化物刻蝕的抗蝕劑類型。通過優(yōu)化抗蝕劑的涂膠厚度與前烘溫度，減少了曝光過程中的氣泡缺陷，提升了圖形的完整性。在中試規(guī)模的實(shí)驗(yàn)中，這些抗蝕劑處理工藝使 6 英寸晶圓的圖形合格率得到一定提升，為電子束曝光技術(shù)的穩(wěn)定應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。電子束曝光支持量子材料的高精度電極制備和原子級(jí)結(jié)構(gòu)控制。佛山光柵電子束曝光廠商
研究所利用電子束曝光技術(shù)制備微納尺度的熱管理結(jié)構(gòu)，探索其在功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用。功率器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量需快速散出，團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光在器件襯底背面制備周期性微通道結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)散熱面積。結(jié)合熱仿真與實(shí)驗(yàn)測(cè)試，分析微通道尺寸與排布方式對(duì)散熱性能的影響，發(fā)現(xiàn)特定結(jié)構(gòu)的微通道能使器件工作溫度降低一定幅度。依托材料外延平臺(tái)，可在制備散熱結(jié)構(gòu)的同時(shí)保證器件正面的材料質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)散熱與電學(xué)性能的平衡，為高功率器件的熱管理提供了新解決方案。深圳套刻電子束曝光價(jià)格電子束曝光用于高成本、高精度的光罩母版制造，是現(xiàn)代先進(jìn)芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
電子束曝光設(shè)備的運(yùn)行成本較高，團(tuán)隊(duì)通過優(yōu)化曝光區(qū)域選擇，對(duì)器件有效區(qū)域進(jìn)行曝光，減少無效曝光面積，降低了單位器件的制備成本。同時(shí)，通過設(shè)備維護(hù)與參數(shù)優(yōu)化，延長了關(guān)鍵部件的使用壽命，間接降低了設(shè)備運(yùn)行成本。這些成本控制措施使電子束曝光技術(shù)在中試生產(chǎn)中的經(jīng)濟(jì)性得到一定提升，更有利于其在產(chǎn)業(yè)中的推廣應(yīng)用。研究所將電子束曝光技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體量子點(diǎn)的定位制備中，探索其在量子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。量子點(diǎn)的精確位置控制對(duì)量子器件的性能至關(guān)重要，科研團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光在襯底上制備納米尺度的定位標(biāo)記，引導(dǎo)量子點(diǎn)的選擇性生長。
針對(duì)柔性襯底上的電子束曝光技術(shù)，研究所開展了適應(yīng)性研究。柔性半導(dǎo)體器件的襯底通常具有一定的柔韌性，可能影響曝光過程中的晶圓平整度，科研團(tuán)隊(duì)通過改進(jìn)晶圓夾持裝置，減少柔性襯底在曝光時(shí)的變形。同時(shí)，調(diào)整電子束的掃描速度與聚焦方式，適應(yīng)柔性襯底表面可能存在的微小起伏，在聚酰亞胺襯底上實(shí)現(xiàn)了微米級(jí)圖形的穩(wěn)定制備。這項(xiàng)研究拓展了電子束曝光技術(shù)的應(yīng)用場景，為柔性電子器件的高精度制造提供了技術(shù)支持。科研團(tuán)隊(duì)在電子束曝光的缺陷檢測(cè)與修復(fù)技術(shù)上取得進(jìn)展。曝光過程中可能出現(xiàn)的圖形斷線、短路等缺陷，會(huì)影響器件性能，團(tuán)隊(duì)利用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)曝光后的圖形進(jìn)行快速掃描，識(shí)別缺陷位置與類型。電子束曝光的成功實(shí)踐離不開基底處理、熱管理和曝光策略的系統(tǒng)優(yōu)化。
對(duì)于可修復(fù)的微小缺陷，通過局部二次曝光的方式進(jìn)行修正，提高了圖形的合格率。在 6 英寸晶圓的中試實(shí)驗(yàn)中，這種缺陷修復(fù)技術(shù)使無效區(qū)域的比例降低了一定程度，提升了電子束曝光的材料利用率。研究所將電子束曝光技術(shù)與納米壓印模板制備相結(jié)合，探索低成本大規(guī)模制備微納結(jié)構(gòu)的途徑。納米壓印技術(shù)適合批量生產(chǎn)，但模板制備依賴高精度加工手段，團(tuán)隊(duì)通過電子束曝光制備高質(zhì)量的原始模板，再通過電鑄工藝復(fù)制得到可用于批量壓印的工作模板。對(duì)比電子束直接曝光與納米壓印的圖形質(zhì)量，發(fā)現(xiàn)兩者在微米尺度下的精度差異較小，但壓印效率更高。這項(xiàng)研究為平衡高精度與高效率的微納制造需求提供了可行方案，有助于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。電子束曝光在半導(dǎo)體領(lǐng)域主導(dǎo)光罩精密制作及第三代半導(dǎo)體器件的亞納米級(jí)結(jié)構(gòu)加工。廣東納米電子束曝光
電子束曝光為超高靈敏磁探測(cè)裝置制備微納超導(dǎo)傳感器件。佛山光柵電子束曝光廠商
圍繞電子束曝光的套刻精度控制，科研團(tuán)隊(duì)開展了系統(tǒng)研究。在多層結(jié)構(gòu)器件的制備中，各層圖形的對(duì)準(zhǔn)精度直接影響器件性能，團(tuán)隊(duì)通過改進(jìn)晶圓定位系統(tǒng)與標(biāo)記識(shí)別算法，將套刻誤差控制在較小范圍內(nèi)。依托材料外延平臺(tái)的表征設(shè)備，可精確測(cè)量不同層間圖形的相對(duì)位移，為套刻參數(shù)的優(yōu)化提供量化依據(jù)。在第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)中，該技術(shù)確保了源漏電極與溝道區(qū)域的精細(xì)對(duì)準(zhǔn)，有效降低了器件的接觸電阻，相關(guān)工藝參數(shù)已納入中試生產(chǎn)規(guī)范。佛山光柵電子束曝光廠商
