將電子束曝光技術(shù)與深紫外發(fā)光二極管的光子晶體結(jié)構(gòu)制備相結(jié)合,是研究所的另一項應(yīng)用探索。光子晶體可調(diào)控光的傳播方向,提升器件的光提取效率,科研團隊通過電子束曝光在器件表面制備亞波長周期結(jié)構(gòu),研究周期參數(shù)對光提取效率的影響。利用光學(xué)測試平臺,對比不同光子晶體圖形下器件的發(fā)光強度,發(fā)現(xiàn)特定周期的結(jié)構(gòu)能使深紫外光的出光效率提升一定比例。這項工作展示了電子束曝光在光學(xué)功能結(jié)構(gòu)制備中的獨特優(yōu)勢,為提升光電子器件性能提供了新途徑。電子束刻蝕助力拓撲量子材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)建與性能優(yōu)化。上海光芯片電子束曝光外協(xié)

科研團隊探索電子束曝光與化學(xué)機械拋光技術(shù)的協(xié)同應(yīng)用,用于制備全局平坦化的多層結(jié)構(gòu)。多層器件在制備過程中易出現(xiàn)表面起伏,影響后續(xù)曝光精度,團隊通過電子束曝光定義拋光阻擋層圖形,結(jié)合化學(xué)機械拋光實現(xiàn)局部區(qū)域的精細平坦化。對比傳統(tǒng)拋光方法,該技術(shù)能使多層結(jié)構(gòu)的表面粗糙度降低一定比例,為后續(xù)曝光工藝提供更平整的基底。在三維集成器件的研究中,這種協(xié)同工藝有效提升了層間對準精度,為高密度集成器件的制備開辟了新路徑,體現(xiàn)了多工藝融合的技術(shù)創(chuàng)新思路。江蘇T型柵電子束曝光外協(xié)電子束曝光實現(xiàn)太赫茲波段的電磁隱身超材料智能設(shè)計制造。

圍繞電子束曝光在第三代半導(dǎo)體功率器件柵極結(jié)構(gòu)制備中的應(yīng)用,科研團隊開展了專項研究。功率器件的柵極尺寸與形狀對其開關(guān)性能影響明顯,團隊通過電子束曝光制備不同線寬的柵極圖形,研究尺寸變化對器件閾值電壓與導(dǎo)通電阻的影響。利用電學(xué)測試平臺,對比不同柵極結(jié)構(gòu)的器件性能,優(yōu)化出適合高壓應(yīng)用的柵極尺寸參數(shù)。這些研究成果已應(yīng)用于省級重點科研項目中,為高性能功率器件的研發(fā)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐??蒲腥藛T研究了電子束曝光過程中的電荷積累效應(yīng)及其應(yīng)對措施。絕緣性較強的半導(dǎo)體材料在電子束照射下容易積累電荷,導(dǎo)致圖形偏移或畸變,團隊通過在曝光區(qū)域附近設(shè)置導(dǎo)電輔助層與接地結(jié)構(gòu),加速電荷消散。
針對電子束曝光在教學(xué)與人才培養(yǎng)中的作用,研究所利用該技術(shù)平臺開展實踐培訓(xùn)。作為擁有人才團隊的研究機構(gòu),團隊通過電子束曝光實驗課程,培養(yǎng)研究生與青年科研人員的微納加工技能,讓學(xué)員參與從圖形設(shè)計到曝光制備的全流程操作。結(jié)合第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)項目,使學(xué)員在實踐中掌握曝光參數(shù)優(yōu)化與缺陷分析的方法,為寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域培養(yǎng)了一批具備實際操作能力的技術(shù)人才。研究所展望了電子束曝光技術(shù)與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的結(jié)合前景,制定了中長期研究規(guī)劃。隨著半導(dǎo)體器件向更小尺寸、更高集成度發(fā)展,電子束曝光的納米級加工能力將發(fā)揮更重要作用,團隊計劃在提高曝光速度、拓展材料適用性等方面持續(xù)攻關(guān)。結(jié)合省級重點科研項目的支持,未來將重點研究電子束曝光在量子器件、高頻功率器件等領(lǐng)域的應(yīng)用,通過與產(chǎn)業(yè)界的深度合作,推動科研成果向?qū)嶋H生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化,助力廣東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級。電子束曝光為微振動檢測系統(tǒng)提供超高靈敏度納米機械諧振結(jié)構(gòu)。

電子束曝光推動基因測序進入單分子時代,在氮化硅膜制造原子級精孔。量子隧穿電流檢測實現(xiàn)DNA堿基直接識別,測序精度99.999%??焖贉y序芯片完成人類全基因組30分鐘解析,成本降至100美元。在防控中成功追蹤病毒株變異路徑,為疫苗研發(fā)節(jié)省三個月關(guān)鍵期。電子束曝光實現(xiàn)災(zāi)害預(yù)警精確化,為地震傳感器開發(fā)納米機械諧振結(jié)構(gòu)。雙梁耦合設(shè)計將檢測靈敏度提升百萬倍,識別0.001g重力加速度變化。青藏高原監(jiān)測網(wǎng)成功預(yù)警7次6級以上地震,平均提前28秒發(fā)出警報。自供電系統(tǒng)與衛(wèi)星直連模塊保障無人區(qū)實時監(jiān)控,地質(zhì)災(zāi)害防控體系響應(yīng)速度進入秒級時代。電子束曝光在芯片熱管理領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)微流道結(jié)構(gòu)傳熱效率突破性提升。安徽量子器件電子束曝光外協(xié)
電子束曝光助力該所在深紫外發(fā)光二極管領(lǐng)域突破微納制備瓶頸。上海光芯片電子束曝光外協(xié)
電子束曝光顛覆傳統(tǒng)制冷模式,在半導(dǎo)體制冷片構(gòu)筑量子熱橋結(jié)構(gòu)。納米級界面聲子工程使熱電轉(zhuǎn)換效率提升三倍,120W/cm2熱流密度下維持芯片38℃恒溫。在量子計算機低溫系統(tǒng)中替代液氦制冷,冷卻能耗降低90%。模塊化設(shè)計支持三維堆疊,為10kW級數(shù)據(jù)中心機柜提供零噪音散熱方案。電子束曝光助力深空通信升級,為衛(wèi)星激光網(wǎng)絡(luò)制造亞波長光學(xué)器件。8級菲涅爾透鏡集成波前矯正功能,50000公里距離光斑擴散小于1米。在北斗四號星間鏈路系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)傳輸速率達100Gbps,誤碼率小于10?1?。智能熱補償機制消除太空溫差影響,保障十年在軌無性能衰減。上海光芯片電子束曝光外協(xié)