在曝光這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學反應，從而使正光刻膠被照射區(qū)域（感光區(qū)域）、負光刻膠未被照射的區(qū)域（非感光區(qū)）化學成分發(fā)生變化。這些化學成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會發(fā)生光化學反應，變?yōu)橐蚁┩?，并進一步水解為茚并羧酸，羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產(chǎn)生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。曝光方法包括：接觸式曝光—掩膜板直接與光刻膠層接觸；接近式曝光—掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm；投影式曝光—在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光和步進式曝光。光刻膠的主要功能是在整個區(qū)域進行化學或機械處理工藝時，保護光刻膠下的襯底部分。上海硅片光刻
從對準信號上分，主要包括標記的顯微圖像對準、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。對準法則是光刻只是把掩膜版上的Y軸與晶園上的平邊成90o，如圖所示。接下來的掩膜版都用對準標記與上一層帶有圖形的掩膜對準。對準標記是一個特殊的圖形，分布在每個芯片圖形的邊緣。經(jīng)過光刻工藝對準標記就永遠留在芯片表面，同時作為下一次對準使用。對準方法包括：a、預對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準b、通過對準標志，位于切割槽上。另外層間對準，即套刻精度,保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準。中山光刻多少錢光學系統(tǒng)的優(yōu)化設計是提升光刻精度的關鍵。
光源的穩(wěn)定性對于光刻工藝的一致性和可靠性至關重要。在光刻過程中，光源的微小波動都可能導致曝光劑量的不一致，從而影響圖形的對準精度和終端質(zhì)量。為了確保光源的穩(wěn)定性，光刻機通常采用先進的控制系統(tǒng)，實時監(jiān)測和調(diào)整光源的強度和波長。這些系統(tǒng)能夠自動補償光源的波動，確保在整個光刻過程中保持穩(wěn)定的輸出功率和光譜特性。此外，對于長時間連續(xù)工作的光刻機，還需要對光源進行定期維護和校準，以確保其長期穩(wěn)定性和可靠性！
顯影速度：顯影速率主要取決于使用的光刻膠和反轉(zhuǎn)烘烤步驟的時間和溫度。反轉(zhuǎn)烘烤的溫度越高、時間越長，光引發(fā)劑的熱分解率就越高。在常規(guī)顯影液中，顯影速率>1um/min是比較常見的，但并不是每款膠都是這樣的。底切結構的形成：過顯的程度(光刻膠開始顯影到顯影完成的時間)對底切結構的形成有明顯的影響。如圖3所示，在充分顯影后，隨著顯影時間的延長，底切的程度會表現(xiàn)更明顯。對于實際應用中，建議30%的過度顯影是個比較合適的節(jié)點：在高深寬比的應用中，必須注意，過度的底切結構有可能會導致光刻膠漂膠。足夠的光刻膠厚度：在使用方向性比較好的鍍膜方式中，鍍膜材料的厚度甚至可以大于光刻膠的厚度。因為，蒸發(fā)的材料在空隙區(qū)域上緩慢地生長在一起，從而襯底上生長的材料形成一個下面大上面小的梯形截面結構。光刻膠的固化過程需要精確控制溫度和時間。
雙面鍍膜光刻是針對硅及其它半導體基片發(fā)展起來的加工技術。在基片兩面制作光刻圖樣并且實現(xiàn)映射對準曝光，如果圖樣不是軸向?qū)ΨQ的，往往需要事先設計圖樣成鏡像關系的兩塊掩模板，每塊掩模板用于基片一個表面的曝光，加工設備的高精度掩?！瑢始夹g是關鍵。對于玻璃基片，設計對準標記并充分利用其透明屬性，可以方便對準操作，提高對準精度。光學玻璃基片，表面光潔度不如晶圓，需要事先經(jīng)過光學拋光的工藝處理。玻璃基片的透光性是個可利用的屬性，物鏡可以直接透過基片看到掩模板的對準標記。數(shù)字顯微鏡可以不斷變焦觀察掩模板和基片的對準情形，不再以關聯(lián)物鏡參照系的數(shù)字存儲圖像為基準，則調(diào)焦引起的物鏡抖動對于對準精度不再發(fā)生作用。這就是玻璃基片的透明屬性帶來的好處。濕法腐蝕多為各向同性腐蝕。江西光刻加工廠
對于透明基片的雙面光刻加工，其準標記可靈活設計。上海硅片光刻
光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。上海硅片光刻
