河北DDR測試保養(yǎng)

DDR測試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號質(zhì)量測試由于基于DDR顆?；駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺，應(yīng)用場景千差萬別，因此需要進行詳盡的信號質(zhì)量測試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對于DDR4及以下的標準來說，物理層一致性測試主要是發(fā)送的信號質(zhì)量測試；對于DDR5標準來說，由于接收端出現(xiàn)了均衡器，所以還要包含接收測試。DDR信號質(zhì)量的測試也是使用高帶寬的示波器。對于DDR的信號，技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號上升/下降時間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實際快上升/下降時間來估算需要的示波器帶寬。通常對于DDR3信號的測試，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測試建議的測試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 DDR壓力測試的內(nèi)容方案；河北DDR測試保養(yǎng)

DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的。 吉林DDR測試故障DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計；

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術(shù)的風起云涌，人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進到了DDR5了，但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號；配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。

現(xiàn)做一個測試電路，類似于圖5，驅(qū)動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結(jié)果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設(shè)計時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當重要的。DDR3總線的解碼方法；

DDR測試

內(nèi)存條測試對內(nèi)存條測試的要求是千差萬別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進行過芯片級半導體故障的測試，因而他們的測試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯誤方面。通過采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條，可以有三種不同內(nèi)存條測試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測試。這恐怕是簡單的測試儀方案。大多數(shù)的測試儀公司一般對他們現(xiàn)有的SDR測試儀作一些很小的改動就將它們作為DDR測試儀推出。SDR測試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個位上。在讀取過程中，SDR測試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后，通過將數(shù)據(jù)鎖存平移半個時鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測試儀能完全訪問DDR內(nèi)存單元。該方法沒有包括真正的突發(fā)測試，而且也不是真正的循環(huán)周期測試。

DDR4信號質(zhì)量自動測試軟件報告；吉林DDR測試故障

主流DDR內(nèi)存標準的比較；河北DDR測試保養(yǎng)

9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓撲結(jié)構(gòu)里，帶有少的短線菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)和樹形拓撲結(jié)構(gòu)是適用的。

10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy，Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里，數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology，下面所有的波形都是采用通常的測試方法，且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。 河北DDR測試保養(yǎng)