浙江DDR測(cè)試DDR測(cè)試

7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個(gè)針對(duì)寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲(chǔ)器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對(duì)于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對(duì)于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，長(zhǎng)度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR4規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；浙江DDR測(cè)試DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

DDR4/5的協(xié)議測(cè)試除了信號(hào)質(zhì)量測(cè)試以外，有些用戶還會(huì)關(guān)心DDR總線上真實(shí)讀/寫的數(shù)據(jù)是否正確，以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等，這時(shí)就需要進(jìn)行相關(guān)的協(xié)議測(cè)試。DDR的總線寬度很寬，即使數(shù)據(jù)線只有16位，加上地址、時(shí)鐘、控制信號(hào)等也有30多根線，更寬位數(shù)的總線甚至?xí)玫缴习俑€。為了能夠?qū)@么多根線上的數(shù)據(jù)進(jìn)行同時(shí)捕獲并進(jìn)行協(xié)議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測(cè)試的基本方法是通過相應(yīng)的探頭把被測(cè)信號(hào)引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運(yùn)行解碼軟件進(jìn)行協(xié)議驗(yàn)證和分析。 浙江DDR測(cè)試DDR測(cè)試DDR工作原理與時(shí)序問題；

DDR測(cè)試

主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。

DDR測(cè)試

DDR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè)，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜的查表修正。為了提高DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試的效率，比較好使用的測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試。使用自動(dòng)測(cè)試軟件的優(yōu)點(diǎn)是：自動(dòng)化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯(cuò)誤；優(yōu)化的算法可以減少測(cè)試時(shí)間；可以測(cè)試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測(cè)試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動(dòng)讀/寫分離技術(shù)簡(jiǎn)化了測(cè)試操作；能夠多次測(cè)量并給出一個(gè)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果；能夠根據(jù)信號(hào)斜率自動(dòng)計(jì)算建立/保持時(shí)間的修正值。由于DDR5工作時(shí)鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號(hào)的隨機(jī)和確定性抖動(dòng)對(duì)于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測(cè)試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜。比如其新增了nUI抖動(dòng)測(cè)試項(xiàng)目，并且需要像很多高速串行總線一樣對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行分解并評(píng)估RJ、DJ等不同分量的影響。另外，由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片，因此實(shí)際進(jìn)行信號(hào)波形測(cè)試時(shí)也需要考慮模擬均衡器對(duì)信號(hào)的影響。展示了典型的DDR5和LPDDR5測(cè)試軟件的使用界面和一部分測(cè)試結(jié)果。 DDR4關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

DDR測(cè)試

測(cè)試頭設(shè)計(jì)模擬針對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)（DFT）當(dāng)然收人歡迎，但卻不現(xiàn)實(shí)。因?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試儀的所需的測(cè)試時(shí)間與花費(fèi)正比于內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)容量。顯然測(cè)試大容量的DDR芯片花費(fèi)是相當(dāng)可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視，所以人們不斷試圖集結(jié)能有效控制和觀察的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。DFT技術(shù)，如JEDEC提出的采用并行測(cè)試模式進(jìn)行多陣列同時(shí)測(cè)試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸，該方案沒有被采納。DDR作為一種商品，必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)位。 借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；信息化DDR測(cè)試聯(lián)系人

DDR3的DIMM接口協(xié)議測(cè)試探頭；浙江DDR測(cè)試DDR測(cè)試

這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個(gè)過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的信號(hào)過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號(hào)過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號(hào)過孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 浙江DDR測(cè)試DDR測(cè)試