DDR測(cè)試DDR測(cè)試規(guī)格尺寸

現(xiàn)做一個(gè)測(cè)試電路，類似于圖5，驅(qū)動(dòng)源是一個(gè)線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號(hào)，信號(hào)的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號(hào)源按照?qǐng)D6的三種方式，且其端接一60Ohms的負(fù)載，其激勵(lì)為一800MHz的周期信號(hào)。在0.5V這一點(diǎn)，我們觀察從信號(hào)源到接收端之間的時(shí)間延遲，顯示出來(lái)它們之間的時(shí)延差異。其結(jié)果如圖7所示，在圖中只顯示了信號(hào)的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的過孔時(shí)延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下，其時(shí)延是8ps。由此可知，在信號(hào)過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個(gè)就顯得不是完全的可行性，由于其信號(hào)線是靠近電源平面的，這就使得信號(hào)的返回路徑是由它們之間的耦合程度來(lái)決定的。所以，在4層的PCB設(shè)計(jì)時(shí)，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對(duì)其耦合程度的控制是相當(dāng)重要的。DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；DDR測(cè)試DDR測(cè)試規(guī)格尺寸

對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)?，而在DDR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長(zhǎng)度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR測(cè)試DDR測(cè)試規(guī)格尺寸協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試；

DDR測(cè)試

DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無(wú)法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號(hào)質(zhì)量，一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)，來(lái)計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的界面。

DDR測(cè)試

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō)，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 DDR關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

近幾年來(lái)，CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法；智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試參考價(jià)格

DDR平均速率以及變化情況；DDR測(cè)試DDR測(cè)試規(guī)格尺寸

只在TOP和BOTTOM層進(jìn)行了布線，存儲(chǔ)器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成。而在DIMM的案例里，只有一個(gè)不帶緩存的DIMM被使用。對(duì)TOP/BOTTOM層布線的一個(gè)閃照?qǐng)D和信號(hào)完整性仿真圖。

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時(shí)鐘頻率在800 MHz，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時(shí)鐘頻率在400 MHz，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)

個(gè)經(jīng)過比較過的數(shù)據(jù)信號(hào)眼圖，一個(gè)是仿真的結(jié)果，而另一個(gè)是實(shí)際測(cè)量的。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的。

11.結(jié)論本文，針對(duì)DDR2/DDR3的設(shè)計(jì)，SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹。對(duì)于在4層板里設(shè)計(jì)800Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是對(duì)于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性。 DDR測(cè)試DDR測(cè)試規(guī)格尺寸