DDR測(cè)試DDR測(cè)試配件

4.為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測(cè)試效率。5.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào)；8.s2，根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號(hào)進(jìn)行讀寫(xiě)信號(hào)分離；9.s3，利用示波器對(duì)分離后的讀寫(xiě)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。10.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào)，具體包括：11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)引腳進(jìn)行信號(hào)連接；12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)；13.利用示波器對(duì)ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)進(jìn)行采集并根據(jù)相關(guān)信號(hào)的波形確定標(biāo)志信號(hào)。DDR總線利用率和讀寫(xiě)吞吐率的統(tǒng)計(jì)；DDR測(cè)試DDR測(cè)試配件

現(xiàn)做一個(gè)測(cè)試電路，類(lèi)似于圖5，驅(qū)動(dòng)源是一個(gè)線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號(hào)，信號(hào)的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號(hào)源按照?qǐng)D6的三種方式，且其端接一60Ohms的負(fù)載，其激勵(lì)為一800MHz的周期信號(hào)。在0.5V這一點(diǎn)，我們觀察從信號(hào)源到接收端之間的時(shí)間延遲，顯示出來(lái)它們之間的時(shí)延差異。其結(jié)果如圖7所示，在圖中只顯示了信號(hào)的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的過(guò)孔時(shí)延同直線相比只有3ps，而在沒(méi)有地過(guò)孔環(huán)繞的情況下，其時(shí)延是8ps。由此可知，在信號(hào)過(guò)孔的周?chē)黾拥剡^(guò)孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個(gè)就顯得不是完全的可行性，由于其信號(hào)線是靠近電源平面的，這就使得信號(hào)的返回路徑是由它們之間的耦合程度來(lái)決定的。所以，在4層的PCB設(shè)計(jì)時(shí)，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對(duì)其耦合程度的控制是相當(dāng)重要的。智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試DDR測(cè)試DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些；

DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試

DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)（用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形）對(duì)DDR5來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

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DDR測(cè)試

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。 DDR3關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

近幾年來(lái)，CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過(guò)程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂(lè)的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 DDR關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；浙江DDR測(cè)試聯(lián)系人

DDR3的DIMM接口協(xié)議測(cè)試探頭；DDR測(cè)試DDR測(cè)試配件

    對(duì)于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號(hào)與DQ數(shù)據(jù)信號(hào)有一定建立時(shí)間tDS和保持時(shí)間tDH要求，否則會(huì)導(dǎo)致接收鎖存信號(hào)錯(cuò)誤，DDR4信號(hào)速率達(dá)到了，單一比特位寬為，時(shí)序裕度也變得越來(lái)越小，傳統(tǒng)的測(cè)量時(shí)序的方式在短時(shí)間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值，無(wú)法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動(dòng)帶來(lái)的對(duì)時(shí)序惡化的貢獻(xiàn)，也很難準(zhǔn)確反映隨機(jī)抖動(dòng)Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動(dòng)因素，基于雙狄拉克模型分解抖動(dòng)和噪聲的隨機(jī)性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會(huì)在規(guī)范中明確了在DDR4中測(cè)試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周?chē)鶷divw時(shí)間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。 DDR測(cè)試DDR測(cè)試配件

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