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DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲器),這種存儲器運(yùn)行速度較快，主要用于程序運(yùn)行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分協(xié)助DDR有那些工具測試；福建DDR測試商家

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在進(jìn)行接收容限測試時，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號。測試中被測件工作在環(huán)回模式，DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對誤碼儀輸出的信號進(jìn)行校準(zhǔn)，如DQS與DQ的時延校準(zhǔn)、信號幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環(huán)境。

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地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 通信DDR測試產(chǎn)品介紹用DDR的BGA探頭引出測試信號；

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DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

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DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動電路，延時較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場合。 DDR4信號質(zhì)量自動測試軟件報告；

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制定DDR內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)按照J(rèn)EDEC組織的定義，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng)達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動終端上開始使用。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺走向商 DDR的信號探測技術(shù)方法；通信DDR測試產(chǎn)品介紹

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進(jìn)入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應(yīng)的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間、高阻態(tài)時間、總線刷新時間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個理想值。

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