DDR測(cè)試
什么是DDR?
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(現(xiàn)在被稱為SDR)與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為節(jié)省輸入管腳,采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通(RAS)鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示,可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式,可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對(duì)來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。 DDR信號(hào)的讀寫分離方法;海南DDR測(cè)試價(jià)目表

DDR測(cè)試
在進(jìn)行接收容限測(cè)試時(shí),需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號(hào)。測(cè)試中被測(cè)件工作在環(huán)回模式,DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測(cè)件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測(cè)端口。在測(cè)試前需要用示波器對(duì)誤碼儀輸出的信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn),如DQS與DQ的時(shí)延校準(zhǔn)、信號(hào)幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動(dòng)校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測(cè)試的環(huán)境。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 廣東DDR測(cè)試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)DDR工作原理與時(shí)序問題;

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng),以成為高數(shù)信號(hào)傳輸測(cè)試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測(cè)試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件,使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專業(yè)的技術(shù)人員,嚴(yán)格按照行業(yè)測(cè)試規(guī)范,配備高性能的權(quán)能測(cè)試設(shè)備,提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù)。 克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專業(yè)知識(shí)及一系列認(rèn)證測(cè)試、預(yù)認(rèn)證測(cè)試及錯(cuò)誤排除信號(hào)完整性測(cè)試、多端口矩陣測(cè)試、HDMI測(cè)試、USB測(cè)試等方面測(cè)試服務(wù)。
DDR測(cè)試
要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件;

4.為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì),可以反映正常工作狀態(tài)下的波形,可以提高測(cè)試效率。5.為實(shí)現(xiàn)上述目的,本技術(shù)提出技術(shù)方案:6.一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法,所述方法包括以下步驟:7.s1,將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào);8.s2,根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置,利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號(hào)進(jìn)行讀寫信號(hào)分離;9.s3,利用示波器對(duì)分離后的讀寫信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。10.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào),具體包括:11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)引腳進(jìn)行信號(hào)連接;12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài);13.利用示波器對(duì)ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)進(jìn)行采集并根據(jù)相關(guān)信號(hào)的波形確定標(biāo)志信號(hào)。DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告;信號(hào)完整性測(cè)試DDR測(cè)試聯(lián)系人
協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試;海南DDR測(cè)試價(jià)目表
DDR測(cè)試
主要的DDR相關(guān)規(guī)范,對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn),同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例,相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn),比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。 海南DDR測(cè)試價(jià)目表
2.PCB的疊層(stackup)和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板(如4層板)來說,其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層,中間的兩層,其中一層為GND平面層,而另一層為VDD平面層,Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來走線時(shí),設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易,同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了,從而提高了電源完整性?;ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗,在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的,單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上,且做到阻抗匹配,而對(duì)于差分信號(hào),100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端,比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外,所...