山西信息化DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對(duì)邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數(shù)據(jù)速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，確保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。 DDR2總線上的信號(hào)波形；山西信息化DDR測(cè)試

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個(gè)SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計(jì)中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會(huì)垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時(shí)，盡量做到長(zhǎng)度匹配和加入一些地過孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進(jìn)行很好的仿真。通常，在時(shí)域分析來看，差分線的正負(fù)兩根線要做到延時(shí)匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號(hào)要做到+/-10ps。DDR測(cè)試配件用DDR的BGA探頭引出測(cè)試信號(hào)；

DDR5發(fā)送端測(cè)試隨著信號(hào)速率的提升，SerDes技術(shù)開始在DDR5中采用，如會(huì)采用DFE均衡器改善接收誤碼率，另外DDR總線在發(fā)展過程中引入訓(xùn)練機(jī)制，不再是簡(jiǎn)單的要求信號(hào)間的建立保持時(shí)間，在DDR4的時(shí)始使用眼圖的概念，在DDR5時(shí)代，引入抖動(dòng)成分概念，從成因上區(qū)分解Rj，Dj等，對(duì)芯片或系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更具體的依據(jù)；在抖動(dòng)的參數(shù)分析上，也增加了一些新的抖動(dòng)定義參數(shù)，并有嚴(yán)苛的測(cè)量指標(biāo)。針對(duì)這些要求，提供了完整的解決方案。UXR示波器，配合D9050DDRC發(fā)射機(jī)一致性軟件，及高阻RC探頭MX0023A，及Interposer，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR信號(hào)的精確表征。

4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí)，往往會(huì)在布線時(shí)采用trombone方式走線，另外，在布線時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候，此時(shí)就會(huì)添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L(zhǎng)度理想走線時(shí)，此時(shí)它們的時(shí)延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線的不對(duì)等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長(zhǎng)度對(duì)等的情況下，trombone走線的時(shí)延比直走線的實(shí)際延時(shí)是要來的小的，而對(duì)于帶有過孔的走線，時(shí)延是要來的大的。這種時(shí)延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算，然后控制走線的長(zhǎng)度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi)，減少不匹配度。對(duì)于trombone線，時(shí)延的不對(duì)等可以通過增大L3的長(zhǎng)度而降低，因?yàn)椴⑿芯€間會(huì)存在耦合，其詳細(xì)的結(jié)果，可以通過SigXP仿真清楚的看出，L3長(zhǎng)度的不同，其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延，盡可能的加長(zhǎng)S的長(zhǎng)度，則可以更好的降低時(shí)延的不對(duì)等。對(duì)于微帶線來說，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試；

DDR測(cè)試

DDR的信號(hào)仿真驗(yàn)證由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉、反射非常嚴(yán)重，因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真軟件中專門針對(duì)DDR的仿真模型庫(kù)仿真出的通道損耗以及信號(hào)波形。仿真出信號(hào)波形以后，許多用戶需要快速驗(yàn)證仿真出來的波形是否符合DDR相關(guān)規(guī)范要求。這時(shí)，可以把軟件仿真出的DDR的時(shí)域波形導(dǎo)入到示波器中的DDR測(cè)試軟件中,并生成相應(yīng)的一致性測(cè)試報(bào)告，這樣可以保證仿真和測(cè)試分析方法的一致，并且便于在仿真階段就發(fā)現(xiàn)可能的信號(hào)違規(guī)。 DDR4信號(hào)完整性測(cè)試案例；山西信息化DDR測(cè)試

借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；山西信息化DDR測(cè)試

trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因，所以，在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí)，要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算，從而控制走線的時(shí)延匹配?？紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素，當(dāng)一個(gè)地過孔靠近信號(hào)過孔放置時(shí)，則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子，在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數(shù)為：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”。山西信息化DDR測(cè)試